代理專利文獻:42850,涉及專利:33212件
覆蓋主要的IPC大類包括:H01(8805)、G01(2792)、G06(2261)、H04(1625)、G03(1572)、H02(1244)、A61(1050)、E04(891)、F16(787)、B60(632)
專利類型分布狀況:發(fā)明公開(19853)、實用新型(9612)、外觀設計(3232)、發(fā)明申請(515)
專利不同法律狀態(tài)數(shù)據(jù)分布狀況:有效專利(12771)、失效專利(10295)、無效專利(7412)、實質審查(2164)、公開(570)
涉及到的主要客戶:上海華力微電子有限公司(3165)、中芯國際集成電路制造(上海)有限公司(2745)、上海華虹宏力半導體制造有限公司(2349)、上海電機學院(2094)、上海微電子裝備有限公司(1671)、聯(lián)合汽車電子有限公司(1497)、武漢新芯集成電路制造有限公司(996)、上海宏力半導體制造有限公司(957)、上海微電子裝備(集團)股份有限公司(922)、昆山市周市惠宏服裝廠(889)
涉及到的主要發(fā)明人:解吉平(889)、嚴衛(wèi)忠(349)、不公告發(fā)明人(231)、施曉旦(213)、倪雪明(199)、姚建平(199)、梁菊明(199)、蔣建業(yè)(199)、龔菊明(194)、楊光軍(144)
發(fā)明專利授權成功率:49%
專利類型 | 專利名稱 | 文獻號 |
---|---|---|
發(fā)明公開 | 混合鍵合結構及鍵合方法 | CN119905413A |
發(fā)明授權 | 功率器件及其形成方法 | CN118866811B |
發(fā)明授權 | 一種濾網支架、儲液器及壓縮機 | CN114812018B |
發(fā)明授權 | 一種超結半導體器件及其制備方法 | CN119584575B |
發(fā)明授權 | 提高晶圓離子注入均勻性的方法 | CN119581303B |
發(fā)明授權 | 一種光學臨近校正方法 | CN119556521B |
發(fā)明授權 | 一種OPC建模方法、系統(tǒng)及計算機可讀存儲介質 | CN119556520B |
發(fā)明授權 | 一種MOS器件及其制備方法 | CN119545884B |
發(fā)明授權 | 測試結構及測試方法 | CN116130461B |
發(fā)明授權 | 浸沒式相變機臺的運作參數(shù)設定方法 | CN114595583B |
查看所有專利
|
排名 | 企業(yè)名稱 | 專利 |
---|---|---|
1 | 上海華力微電子有限公司 | 3165 |
2 | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 | 2745 |
3 | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 | 2349 |
4 | 上海電機學院 | 2094 |
5 | 上海微電子裝備有限公司 | 1671 |
6 | 聯(lián)合汽車電子有限公司 | 1497 |
7 | 武漢新芯集成電路制造有限公司 | 996 |
8 | 上海宏力半導體制造有限公司 | 957 |
9 | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 | 922 |
10 | 昆山市周市惠宏服裝廠 | 889 |
排名 | 發(fā)明人 | 專利 |
---|---|---|
1 | 解吉平 | 889 |
2 | 嚴衛(wèi)忠 | 349 |
3 | 不公告發(fā)明人 | 231 |
4 | 施曉旦 | 213 |
5 | 倪雪明 | 199 |
6 | 姚建平 | 199 |
7 | 梁菊明 | 199 |
8 | 蔣建業(yè) | 199 |
9 | 龔菊明 | 194 |
10 | 楊光軍 | 144 |