白丝美女被狂躁免费视频网站,500av导航大全精品,yw.193.cnc爆乳尤物未满,97se亚洲综合色区,аⅴ天堂中文在线网官网

首頁(yè) / 專利庫(kù) / 光學(xué) / 原子力顯微鏡 / 一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法

一種測(cè)量石墨聚合物復(fù)合材料界面剪切的方法

閱讀:639發(fā)布:2020-05-14

專利匯可以提供一種測(cè)量石墨聚合物復(fù)合材料界面剪切的方法專利檢索,專利查詢,專利分析的服務(wù)。并且一種測(cè)量 石墨 烯 聚合物 復(fù)合材料 界面剪切 力 的方法,先在 硅 基底上 旋涂 光刻 膠 ,顯影為正方形陣列結(jié)構(gòu);在正方形陣列結(jié)構(gòu)之間的溝槽中填充聚合物;將 石墨烯 轉(zhuǎn)移到正方形陣列結(jié)構(gòu)和聚合物上;制作三明治型石墨烯/聚合物納米復(fù)合材料,放入 乙醇 中溶解正方形陣列結(jié)構(gòu);下壓 原子 力 顯微鏡 探針,記錄 原子力顯微鏡 探針的力?位移曲線a;卸載力后石墨烯恢復(fù)原狀,使原子力顯微鏡探針向上移動(dòng),記錄原子力顯微鏡探針的力?位移曲線b,比較兩次曲線求出石墨烯與第一、第二聚合物的剪切力,本 發(fā)明 實(shí)現(xiàn)了石墨烯/聚合物復(fù)合材料界面剪切力的精確測(cè)量。,下面是一種測(cè)量石墨聚合物復(fù)合材料界面剪切的方法專利的具體信息內(nèi)容。

1.一種測(cè)量石墨聚合物復(fù)合材料界面剪切的方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)在基底(1)上旋涂光刻膠(2),并顯影為第一正方形陣列結(jié)構(gòu)(3);
2)在第一正方形陣列結(jié)構(gòu)(3)之間的溝槽中填充第一聚合物(4);
3)將具有大長(zhǎng)寬比長(zhǎng)方形片狀的已知長(zhǎng)度、寬度、厚度的石墨烯(5)轉(zhuǎn)移到第一正方形陣列結(jié)構(gòu)(3)和第一聚合物(4)上,并使石墨烯(5)完全覆蓋在第一正方形陣列結(jié)構(gòu)(3)上,形成橋式石墨烯片段;
4)用步驟3)所得結(jié)構(gòu)代替步驟1)中的硅基底(1),并重復(fù)步驟1)、步驟2),形成由第一正方形陣列結(jié)構(gòu)(3)、第一聚合物(4)作為一層,石墨烯(5)作為中間層,第二正方形陣列結(jié)構(gòu)(6)、第二聚合物(7)作為另一層的三明治型石墨烯聚合物復(fù)合材料;
5)將步驟4)制備的三明治型石墨烯聚合物復(fù)合材料放入乙醇中浸泡,確保完全溶解第一正方形陣列結(jié)構(gòu)(3)和第二正方形陣列結(jié)構(gòu)(6),干燥后得到待測(cè)樣品;
6)用原子顯微鏡定位步驟5)中待測(cè)樣品中的石墨烯(5),并以恒定速度下壓原子力顯微鏡探針(8),進(jìn)而垂直下壓石墨烯(5),記錄原子力顯微鏡探針(8)的力-位移曲線a;
7)卸載力后石墨烯(5)恢復(fù)原狀,使原子力顯微鏡探針(8)向上移動(dòng),記錄原子力顯微鏡探針(8)的力-位移曲線b,比較力-位移曲線a和力-位移曲線b;
8)若力-位移曲線a和力-位移曲線b重合,則使原子力顯微鏡探針(8)以更大的垂直進(jìn)給量重復(fù)步驟6)、步驟7)操作,直至力-位移曲線a和力-位移曲線b不重合,此時(shí)石墨烯(5)由于平剪切力脫離第一聚合物(4)和第二聚合物(7),根據(jù)發(fā)生脫離時(shí)原子力顯微鏡探針(8)受到的力Ft、下壓最大位移Hm求出石墨烯(5)與第一聚合物(4)和第二聚合物(7)之間的界面剪切力τ。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法,其特征在于:所述的步驟8)中計(jì)算石墨烯(5)與第一聚合物(4)和第二聚合物(7)界面剪切力的數(shù)值的過(guò)程如下:
Hm=δa-δp
其中kp為第一聚合物(4)的彈性模量,F(xiàn)t為石墨烯(5)在脫離過(guò)程中原子力顯微鏡探針(8)記錄的力,δp為第一聚合物(4)受到下壓后產(chǎn)生的位移,δa是石墨烯(5)的總位移,Hm為石墨烯(5)在脫離過(guò)程中原子力顯微鏡探針(8)下壓最大位移,θ為邊界處石墨烯(5)與第一聚合物(4)和第二聚合物(7)平面的夾,a為第一正方形陣列結(jié)構(gòu)(3)、第二正方形陣列結(jié)構(gòu)(6)的邊長(zhǎng),F(xiàn)a為石墨烯(5)在脫離過(guò)程中受到的軸向力,l、w、t分別為石墨烯(5)的長(zhǎng)度、寬度、厚度,τ為石墨烯(5)與第一聚合物(4)和第二聚合物(7)之間的界面剪切力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法,其特征在于:所述的第一聚合物(4)和第二聚合物(7)材料為環(huán)樹(shù)脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚甲基硅氧烷(PDMS)、聚苯乙烯(PS)或?qū)Ρ蕉?a href='/zhuanli/list-13802-1.html' target='_blank'>甲酸乙二酯(PET)中的任意一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法,其特征在于:所述的步驟1)光刻膠(2)厚度為5μm~10μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法,其特征在于:所述的第一正方形陣列結(jié)構(gòu)(3)、第二正方形陣列結(jié)構(gòu)(6)邊長(zhǎng)為5μm~10μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法,其特征在于:所述的第一正方形陣列結(jié)構(gòu)(3)、第二正方形陣列結(jié)構(gòu)(6)的間距為10μm~20μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法,其特征在于:所述的步驟2)中具有大長(zhǎng)寬比的長(zhǎng)方形片狀石墨烯的長(zhǎng)寬比為5:1~20:1。

說(shuō)明書(shū)全文

一種測(cè)量石墨聚合物復(fù)合材料界面剪切的方法

技術(shù)領(lǐng)域

[0001] 本發(fā)明屬于納米復(fù)合材料的界面力學(xué)測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法。

背景技術(shù)

[0002] 在眾多類型的納米復(fù)合材料中,基于二維納米材料石墨烯的復(fù)合材料是石墨烯應(yīng)用領(lǐng)域中的重要研究方向,其在柔性電能存儲(chǔ)器液晶器件、電子器件、生物材料、傳感材料和催化劑載體等領(lǐng)域展現(xiàn)出了優(yōu)良性能,具有廣闊的應(yīng)用前景。利用石墨烯制造多功能聚合物納米復(fù)合材料的關(guān)鍵是石墨烯增強(qiáng)相與聚合物基材間界面的構(gòu)筑和增強(qiáng)。這是因?yàn)榻缑媸菑?fù)合材料特有的一個(gè)組成部分,而且石墨烯與基材間的界面作用是決定納米聚合物復(fù)合材料力學(xué)性能、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、功能性的關(guān)鍵因素。因此,研究石墨烯與聚合物間的界面力學(xué)特性是制造多功能、高性能石墨烯/聚合物納米復(fù)合材料的關(guān)鍵問(wèn)題。
[0003] 復(fù)合材料的界面剪切力測(cè)量一直以來(lái)都是微納力學(xué)測(cè)量的難題。由于納米材料的微小尺寸,在實(shí)驗(yàn)上鮮有有效對(duì)納米材料/聚合物界面在納米尺度的精確操作和測(cè)量的技術(shù)手段,對(duì)實(shí)驗(yàn)研究石墨烯和聚合物間的作用造成極大的阻礙。現(xiàn)有測(cè)量材料界面剪切力的方法主要是擠壓法,鼓泡法等,然而上述技術(shù)存在操作困難,精度低等缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

[0004] 為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的在于提供一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法,實(shí)現(xiàn)了石墨烯/聚合物復(fù)合材料界面剪切力的精確測(cè)量。
[0005] 為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明采取視為技術(shù)方案為:
[0006] 一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法,包括以下步驟:
[0007] 1)在基底1上旋涂光刻膠2,并顯影為正方形陣列結(jié)構(gòu)3;
[0008] 2)在正方形陣列結(jié)構(gòu)3之間的溝槽中填充第一聚合物4;
[0009] 3)將具有大長(zhǎng)寬比長(zhǎng)方形片狀的已知長(zhǎng)度、寬度、厚度的石墨烯5轉(zhuǎn)移到第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3和第一聚合物4上,并使石墨烯5完全覆蓋在第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3上,形成橋式石墨烯片段
[0010] 4)在步驟3)所得結(jié)構(gòu)代替步驟1)中的硅基底1,并重復(fù)步驟1)、步驟2),形成由第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3、第一聚合物4作為一層,石墨烯5作為中間層,第二正方形陣列結(jié)構(gòu)6、第二聚合物7作為另一層的三明治型石墨烯/聚合物納米復(fù)合材料;
[0011] 5)將步驟4)制備的三明治型石墨烯/聚合物納米復(fù)合材料放入乙醇中浸泡,確保完全溶解第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3和第二正方形陣列結(jié)構(gòu)6,干燥后得到待測(cè)樣品;
[0012] 6)用原子顯微鏡定位步驟5)中待測(cè)樣品中的石墨烯5,并以恒定速度下壓原子力顯微鏡探針8,進(jìn)而垂直下壓石墨烯5,記錄原子力顯微鏡探針8的力-位移曲線a;
[0013] 7)卸載力后石墨烯5恢復(fù)原狀,使原子力顯微鏡探針8向上移動(dòng),記錄原子力顯微鏡探針8的力-位移曲線b,比較力-位移曲線a和力-位移曲線b;
[0014] 8)若兩次力-位移曲線重合,則使原子力顯微鏡探針8以更大的垂直進(jìn)給量重復(fù)步驟6)、步驟7)操作,直至力-位移曲線a和力-位移曲線b不重合,此時(shí)石墨烯5由于平剪切力脫離第一聚合物4和第二聚合物7,根據(jù)發(fā)生脫離時(shí)原子力顯微鏡探針8受到的力Ft、下壓最大位移Hm求出石墨烯5與第一聚合物4和第二聚合物7之間的剪切力τ。
[0015] 所述的步驟8)中計(jì)算石墨烯5與第一聚合物4和第二聚合物7界面剪切力的數(shù)值的過(guò)程如下:
[0016]
[0017]
[0018]
[0019] Hm=δa-δp
[0020]
[0021] 其中kp為第一聚合物4的彈性模量,F(xiàn)t為石墨烯5在脫離過(guò)程中原子力顯微鏡探針8記錄的力,δp為第一聚合物4受到下壓后產(chǎn)生的位移,δa是石墨烯5的總位移,Hm為石墨烯5在脫離過(guò)程中原子力顯微鏡探針8下壓最大位移,θ為邊界處石墨烯5與第一聚合物4和第二聚合物7平面的夾,a為第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3、第二正方形陣列結(jié)構(gòu)6的邊長(zhǎng),F(xiàn)a為石墨烯5在脫離過(guò)程中受到的軸向力,l、w、t分別為石墨烯5的長(zhǎng)度、寬度、厚度,τ為石墨烯5與第一聚合物4和第二聚合物7之間的剪切力。
[0022] 所述的第一聚合物4和第二聚合物7材料為環(huán)樹(shù)脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚甲基硅氧烷(PDMS)、聚苯乙烯(PS)或?qū)Ρ蕉?a href='/zhuanli/list-13802-1.html' target='_blank'>甲酸乙二酯(PET)等任意一種。
[0023] 所述的步驟1)光刻膠2厚度為5μm~10μm。
[0024] 所述的第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3、第二正方形陣列結(jié)構(gòu)6邊長(zhǎng)為5μm~10μm。
[0025] 所述的第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3、第二正方形陣列結(jié)構(gòu)6的間距為10μm~20μm。
[0026] 所述的步驟2)中具有大長(zhǎng)寬比的長(zhǎng)方形片狀石墨烯的長(zhǎng)寬比為5:1~20:1。
[0027] 與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果為:
[0028] 本發(fā)明通過(guò)利用原子力顯微鏡探針壓拔實(shí)驗(yàn)進(jìn)行加載和卸載,可以保證直接測(cè)量的準(zhǔn)確性。構(gòu)造了三明治型石墨烯/聚合物納米復(fù)合材料,通過(guò)控制原子力顯微鏡探針的壓拔實(shí)驗(yàn),檢測(cè)石墨烯在加載和卸載時(shí)探針的力-位移曲線,在兩次曲線不重合時(shí),石墨烯與聚合物界面脫離,實(shí)現(xiàn)了石墨烯/聚合物復(fù)合材料界面剪切力的測(cè)量。附圖說(shuō)明
[0029] 圖1是本發(fā)明待測(cè)樣品的制備流程圖。
[0030] 圖2是原子力顯微鏡探針8壓拔實(shí)驗(yàn)示意圖。
[0031] 圖3是原子力顯微鏡探針8壓拔實(shí)驗(yàn)截面圖。

具體實(shí)施方式

[0032] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0033] 一種測(cè)量石墨烯聚合物復(fù)合材料界面剪切力的方法,包括以下步驟:
[0034] 1)準(zhǔn)備硅基底1,參照?qǐng)D1,在硅基底1表面涂覆光刻膠2,光刻膠2厚度為10μm,使用圖案為正方形陣列,正方形邊長(zhǎng)為5μm,間距為20μm的掩模版進(jìn)行光刻,顯影后使用酸/溶液進(jìn)行濕法刻蝕形成第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3;
[0035] 2)在第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3之間的溝槽中填充第一聚合物4,第一聚合物4為環(huán)氧樹(shù)脂,第一聚合物4厚度為10μm;
[0036] 3)利用圖案化的PDMS模具將網(wǎng)生長(zhǎng)的具有大長(zhǎng)寬比長(zhǎng)方形片狀的已知長(zhǎng)度、寬度、厚度的石墨烯5轉(zhuǎn)移到第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3和第一聚合物4上,大長(zhǎng)寬比的長(zhǎng)方形片狀石墨烯的長(zhǎng)寬比為10:1,并使石墨烯5完全覆蓋在第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3上,第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3邊長(zhǎng)為5μm,第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3的間距為20μm,形成橋式石墨烯片段;
[0037] 4)將步驟3)所得結(jié)構(gòu)代替步驟1)中硅基底1,并重復(fù)步驟1)、步驟2),形成由第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3、第一聚合物4作為一層,石墨烯5作為中間層,第二正方形陣列結(jié)構(gòu)6、第二聚合物7作為另一層的三明治型石墨烯/聚合物納米復(fù)合材料,第二聚合物7為環(huán)氧樹(shù)脂;
[0038] 5)將步驟4)制備的三明治型石墨烯/聚合物納米復(fù)合材料放入乙醇中浸泡30min,確保完全溶解第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3和第二正方形陣列結(jié)構(gòu)6,干燥后得到待測(cè)樣品,待測(cè)樣品用于在界面力學(xué)特性實(shí)驗(yàn)中與原子力顯微鏡探針8接觸和壓拔試驗(yàn);
[0039] 6)參照?qǐng)D2,用原子力顯微鏡定位步驟5)中待測(cè)樣品中的石墨烯5,并以恒定速度下壓原子力顯微鏡探針8,進(jìn)而垂直下壓石墨烯5,記錄原子力顯微鏡探針8的力-位移曲線a;
[0040] 7)卸載力后石墨烯5恢復(fù)原狀,使原子力顯微鏡探針8向上移動(dòng),記錄原子力顯微鏡探針8的力-位移曲線b,比較力-位移曲線a和力-位移曲線b;
[0041] 8)若兩次力-位移曲線重合,則使原子力顯微鏡探針8以更大的垂直進(jìn)給量重復(fù)步驟6)、步驟7)操作,直至力-位移曲線a和力-位移曲線b不重合,此時(shí)石墨烯5由于水平剪切力脫離第一聚合物4和第二聚合物7,根據(jù)發(fā)生脫離時(shí)原子力顯微鏡探針8受到的力Ft、下壓最大位移Hm求出石墨烯5與第一聚合物4和第二聚合物7之間的剪切力τ。
[0042] 參照?qǐng)D3,計(jì)算石墨烯5與第一聚合物4和第二聚合物7界面剪切力的數(shù)值的過(guò)程如下:
[0043]
[0044]
[0045]
[0046] Hm=δa-δp
[0047]
[0048] 其中kp為第一聚合物4的彈性模量,F(xiàn)t為石墨烯5在脫離過(guò)程中原子力顯微鏡探針8記錄的力,δp為第一聚合物4受到下壓后產(chǎn)生的位移,δa是石墨烯5的總位移,Hm為石墨烯5在脫離過(guò)程中原子力顯微鏡探針8下壓最大位移,θ為邊界處石墨烯5與第一聚合物4和第二聚合物7平面的夾角,a為第一正方形陣列結(jié)構(gòu)3、第二正方形陣列結(jié)構(gòu)6的邊長(zhǎng),F(xiàn)a為石墨烯5在脫離過(guò)程中受到的軸向力,l、w、t分別為石墨烯5的長(zhǎng)度、寬度、厚度,τ為石墨烯5與第一聚合物4和第二聚合物7之間的剪切力。
高效檢索全球?qū)@?/div>

專利匯是專利免費(fèi)檢索,專利查詢,專利分析-國(guó)家發(fā)明專利查詢檢索分析平臺(tái),是提供專利分析,專利查詢,專利檢索等數(shù)據(jù)服務(wù)功能的知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)據(jù)服務(wù)商。

我們的產(chǎn)品包含105個(gè)國(guó)家的1.26億組數(shù)據(jù),免費(fèi)查、免費(fèi)專利分析。

申請(qǐng)?jiān)囉?/a>

QQ群二維碼
意見(jiàn)反饋