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1.一種對半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體表面形成點金屬電觸點的方法，所述方法包括：
i)在所述半導(dǎo)體表面上方形成第一金屬層；
ii)陽極氧化所述第一金屬層以產(chǎn)生在所述半導(dǎo)體表面上方形成的多孔金屬氧化物層，從而所述多孔金屬氧化物層中的孔形成在所述多孔金屬氧化物層中的開口陣列；
iii)在所述多孔金屬氧化物層上方形成觸點金屬層，并且所述觸點金屬層的一部分延伸到所述開口陣列的開口中以使得所述觸點金屬層經(jīng)由所述多孔金屬氧化物層中的所述開口陣列電接觸所述半導(dǎo)體表面。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體表面上形成所述第一金屬層以使得在所述陽極氧化步驟之后，所述多孔金屬氧化物層接觸所述半導(dǎo)體表面。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體表面上方形成電介質(zhì)層，并且在所述電介質(zhì)層上方形成所述多孔金屬氧化物層。
4.一種對半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體表面形成點金屬電觸點的方法，所述方法包括：
i)在所述半導(dǎo)體表面上形成電介質(zhì)層：
ii)在所述電介質(zhì)層上方形成第一金屬層；
iii)陽極氧化所述第一金屬層以產(chǎn)生在所述電介質(zhì)層上方形成的多孔金屬氧化物層，從而所述多孔金屬氧化物層中的孔形成在所述多孔金屬氧化物層中的開口陣列；
iv)在所述多孔金屬氧化物層上方形成觸點金屬層；以及
v)加熱所述觸點金屬層以驅(qū)使所述觸點金屬層的一部分穿過所述電介質(zhì)層，以經(jīng)由所述多孔金屬氧化物層中的所述開口陣列和所述電介質(zhì)層電接觸所述半導(dǎo)體表面。
5.權(quán)利要求3或4所述的方法，其中所述電介質(zhì)層包含SiO2、SiNx、SiONx、SiC、Al2O3或它們的兩種以上的組合。
6.權(quán)利要求3、4或5所述的方法，其中所述電介質(zhì)層的厚度在10-85nm的范圍內(nèi)。
7.權(quán)利要求3、4、5或6所述的方法，其中所述電介質(zhì)層的厚度在10-20nm、或20-20nm、或30-40nm、或40-50nm、或50-60nm、或60-70nm、或70-80nm、或80-85nm的范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求3至7中的任一項所述的方法，其中所述電介質(zhì)層通過PECVD并隨后通過形成氣體退火而形成。
9.如權(quán)利要求3至8中的任一項所述的方法，其中所述半導(dǎo)體表面是帶紋路的。
10.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述半導(dǎo)體表面的所述紋路達到1-8μm、或2-5μm、或1-2μm、或2-3μm、或3-4μm、或4-5μm、或5-6μm、或6-7μm、或7-8μm的深度。
11.權(quán)利要求9或10所述的方法，其中控制所述金屬觸點層的加熱以將所述觸點金屬層與所述半導(dǎo)體表面的接觸限制為僅僅經(jīng)由位于或鄰近所述半導(dǎo)體表面的所述紋路的峰或脊的那些孔。
12.如權(quán)利要求1至11中的任一項所述的方法，其中所述第一金屬層是包含鋁的層。
13.如權(quán)利要求1至12中的任一項所述的方法，其中將所述金屬層在陽極氧化以形成所述多孔金屬氧化物層之前燒結(jié)。
14.如權(quán)利要求1至13中的任一項所述的方法，其中在所述觸點金屬層的形成之前，蝕刻所述多孔金屬氧化物層以擴大形成穿過所述多孔金屬氧化物層的所述開口陣列的所述孔。
15.如權(quán)利要求1至14中的任一項所述的方法，其中在所述觸點金屬層的施加之前將所述多孔金屬氧化物層進一步蝕刻，以確保在穿過所述多孔金屬氧化物層的所述開口陣列的所述開口的底部將任意阻擋層氧化物從所述半導(dǎo)體表面移除。
16.如權(quán)利要求1至15中的任一項所述的方法，其中將所述第一金屬層預(yù)處理以使得由所述陽極氧化步驟產(chǎn)生的所述孔在所選位置優(yōu)先形成。
17.權(quán)利要求16所述的方法，其中所述預(yù)處理包括在每一個所需的位置產(chǎn)生缺陷、壓痕或弱點的流體的逐點沉積。
18.權(quán)利要求17所述的方法，其中使用噴墨或氣溶膠噴注打印機沉積所述流體。
19.權(quán)利要求18所述的方法，其中沉積蝕刻劑以在所述第一金屬層中在所需的孔的位置形成凹陷。
20.權(quán)利要求16所述的方法，其中所述預(yù)處理包括用在每一個所需的位置產(chǎn)生凹痕的模具壓印所述第一金屬層的表面。
21.如權(quán)利要求1至20中的任一項所述的方法，其中平均孔間距小于500μm。
22.如權(quán)利要求1至20中的任一項所述的方法，其中平均孔間距小于200μm。
23.如權(quán)利要求1至20中的任一項所述的方法，其中平均孔間距為100μm以下。
24.如權(quán)利要求1至23中的任一項所述的方法，其中在所述陽極氧化工序中使用的酸選自硫酸、草酸、磷酸，或一起或依次使用的這些酸的組合。
25.如權(quán)利要求1至24中的任一項所述的方法，其中在所述陽極氧化工序中使用的酸是0.3-1.5M硫酸和1～10％(wt/wt)磷酸。
26.如權(quán)利要求1至24中的任一項所述的方法，其中在所述陽極氧化工序中使用的酸是0.3M硫酸。
27.如權(quán)利要求1至26中的任一項所述的方法，其中將所沉積的第一金屬層陽極氧化
3-30分鐘、或3-4分鐘、或4-5分鐘、或5-6分鐘、或6-7分鐘、或7-8分鐘、或8-9分鐘、或
9-10分鐘、或10-11分鐘、或11-12分鐘、或12-13分鐘、或13-14分鐘、或14-15分鐘、或
15-16分鐘、或16-17分鐘、或17-18分鐘、或18-19分鐘、或19-20分鐘、或20-21分鐘、或
21-22分鐘、或22-23分鐘、或23-24分鐘、或24-25分鐘、或25-26分鐘、或26-27分鐘、或
27-28分鐘、或28-29分鐘、或29-30分鐘。
28.如權(quán)利要求1至27中的任一項所述的方法，其中通過濺射或熱蒸發(fā)法中的一種沉積所述第一金屬層。
29.如權(quán)利要求1至28中的任一項所述的方法，其中所述第一金屬層的厚度在
0.2-1.0μm、或0.2-0.5μm、或0.1-0.2μm、或0.2-0.3μm、或0.3-0.4μm、或0.4-0.5μm、或0.5-0.6μm、或0.6-0.7μm、或0.7-0.8μm、或0.8-0.9μm、或0.9-1.05μm的范圍內(nèi)。
30.如權(quán)利要求1至29中的任一項所述的方法，其中在陽極氧化之前將所沉積的第一金屬層在350-450℃(額定400℃)燒結(jié)25-35分鐘。
31.如權(quán)利要求1至30中的任一項所述的方法，其中經(jīng)陽極氧化的第一金屬層的蝕刻在所述陽極氧化步驟之后進行并且進行直至所述孔的直徑為至少200或250nm。
32.如權(quán)利要求1至30中的任一項所述的方法，其中經(jīng)陽極氧化的第一金屬層的蝕刻在所述陽極氧化步驟之后進行并且進行直至所述孔的直徑在450-550nm的范圍內(nèi)。
33.如權(quán)利要求1至32中的任一項所述的方法，其中使用選自濺射、電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā)或絲網(wǎng)印刷的方法，將所述觸點金屬層沉積在所述孔中以及所述多孔金屬氧化物層的整個表面上方。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其中，所述觸點金屬層是包含鋁的層。
35.如權(quán)利要求1至32中的任一項所述的方法，其中所述觸點金屬層通過金屬鍍覆而形成在所述開口中以及所述多孔金屬氧化物層的整個表面上方。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其中通過用鎳、銅、錫和/或銀鍍覆來形成所述觸點金屬層。
37.如權(quán)利要求1至36中的任一項所述的方法，其中所述觸點金屬層在所述孔之間的厚度在1-4μm的范圍內(nèi)。
38.如權(quán)利要求1至36中的任一項所述的方法，其中所述觸點金屬層在所述孔之間的厚度在1-2μm、或2-3μm、或3-4μm的范圍內(nèi)。
39.如權(quán)利要求1至38中的任一項所述的方法，其中在沉積所述觸點金屬層之后，將所述觸點金屬層在以下范圍內(nèi)的溫度燒結(jié)：400-650℃、或400-500℃、或400-450℃、或
450-500℃、或500-550℃、或550-600℃、或600-650℃。
40.如權(quán)利要求1至39中的任一項所述的方法，其中在沉積所述觸點金屬層之后，將所述觸點金屬層燒結(jié)1-15分鐘、或1-2分鐘、或2-3分鐘、或3-4分鐘、或4-5分鐘、或5-6分鐘、或6-7分鐘、或7-8分鐘、或8-9分鐘、或9-10分鐘、或10-11分鐘、或11-12分鐘、或
12-13分鐘、或13-14分鐘、或14-15分鐘。
41.如權(quán)利要求1至39中的任一項所述的方法，其中所述觸點金屬層的加熱步驟包括將觸點金屬層在400-500℃的范圍內(nèi)的溫度燒結(jié)10-15分鐘。
42.如權(quán)利要求1至39中的任一項所述的方法，其中將所述觸點金屬層在比所述金屬-半導(dǎo)體的共晶溫度更高的溫度燒結(jié)，從而使觸點金屬擴散至所述半導(dǎo)體表面中，以使得在所述孔的底部形成金屬-半導(dǎo)體合金。
43.如權(quán)利要求1至42中的任一項所述的方法，其中所述觸點金屬層包含鋁或鋁合金。
44.如權(quán)利要求1至43中的任一項所述的方法，其中所述觸點金屬層的加熱步驟包括將所述觸點金屬層在650°-820℃、或650°-670℃、或670°-690℃、或690°-710℃、或710°-730℃、或730°-750℃、或750°-770℃、或770°-790℃、或790°-810℃、或
810°-820℃的范圍內(nèi)的峰值溫度燒制，在所述峰值溫度持續(xù)少于60秒。
45.如權(quán)利要求44所述的方法，其中所述觸點金屬層的加熱步驟包括將所述觸點金屬層在所述峰值溫度燒制1-2秒、或2-3秒、或3-4秒、或4-5秒、或5-6秒、或6-7秒、或7-8秒、或8-9秒、或9-10秒、或10-12秒、或12-15秒、或15-20秒、或20-25秒、或25-30秒、或30-35秒、或35-40秒、或40-45秒、或45-50秒、或50-55秒、或55-60秒。
46.如權(quán)利要求1至45中的任一項所述的方法，其中，在所述觸點金屬層的形成之前，使所述半導(dǎo)體表面暴露于摻雜劑極性與所述半導(dǎo)體表面的半導(dǎo)體材料相同的摻雜劑原子，從而所述半導(dǎo)體表面在所述多孔金屬氧化物層中的所述開口下面的半導(dǎo)體材料與周圍的半導(dǎo)體表面中的半導(dǎo)體材料相比被更重地摻雜。
47.如權(quán)利要求1至45中的任一項所述的方法，其中，在所述陽極氧化步驟之前，使所述半導(dǎo)體表面暴露于摻雜劑極性與所述半導(dǎo)體表面的半導(dǎo)體材料相同的摻雜劑原子，從而所述半導(dǎo)體表面的半導(dǎo)體材料與在所述半導(dǎo)體表面下面的半導(dǎo)體材料被更重地摻雜。
48.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有其上形成電觸點的半導(dǎo)體表面，所述器件包括：
i)多孔金屬氧化物層，所述多孔金屬氧化物層形成在所述半導(dǎo)體表面上方，從而所述多孔金屬氧化物層中的孔形成穿過所述多孔金屬氧化物層的開口陣列；
ii)觸點金屬層，所述觸點金屬層形成在所述多孔金屬氧化物層上方并且所述觸點金屬層的一部分延伸至所述開口陣列的開口中，以使得所述觸點金屬層經(jīng)由所述多孔金屬氧化物層中的所述開口陣列電接觸所述半導(dǎo)體表面，從而形成所述電觸點。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，其中所述多孔金屬氧化物層形成在所述半導(dǎo)體表面上。
50.如權(quán)利要求48所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體表面與所述多孔金屬氧化物層之間形成中間電介質(zhì)層。
51.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有其上形成電觸點的半導(dǎo)體表面，所述器件包括：
i)電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層形成在所述半導(dǎo)體表面上方；
ii)多孔金屬氧化物層，所述多孔金屬氧化物層形成在所述電介質(zhì)層上方，從而所述多孔金屬氧化物層中的孔形成穿過所述多孔金屬氧化物層的開口陣列；
iii)觸點金屬層，所述觸點金屬層形成在所述多孔金屬氧化物層上方，以使得所述觸點金屬層經(jīng)由所述多孔金屬氧化物層中的所述開口陣列和所述電介質(zhì)層電接觸所述半導(dǎo)體表面，從而形成所述電觸點。
52.權(quán)利要求50或51所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電介質(zhì)層包含SiO2、SiNx、SiONx、SiC或它們的兩種或三種的組合。
53.權(quán)利要求50、51或52所述的半導(dǎo)體器件，其中所述電介質(zhì)層的厚度在10-85nm、或10-20nm、或20-20nm、或30-40nm、或40-50nm、或50-60nm、或60-70nm、或70-80nm、或
80-85nm的范圍內(nèi)。
54.權(quán)利要求50、51、52或53所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體表面是帶紋路的。
55.權(quán)利要求54所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體表面的所述紋路達到1-8μm、或
2-5μm、或1-2μm、或2-3μm、或3-4μm、或4-5μm、或5-6μm、或6-7μm、或7-8μm的深度。
56.權(quán)利要求54或55所述的半導(dǎo)體器件，其中所述金屬觸點層僅經(jīng)由位于或鄰近所述半導(dǎo)體表面的所述紋路的峰或脊的孔接觸所述半導(dǎo)體表面。
57.如權(quán)利要求48至56中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多孔金屬氧化物層是氧化鋁層。
58.如權(quán)利要求48至57中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中平均孔間距小于500μm。
59.如權(quán)利要求48至57中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中平均孔間距小于200μm。
60.如權(quán)利要求48至57中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中平均孔間距小于100μm或更小。
61.如權(quán)利要求48至60中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多孔金屬氧化物層的厚度在0.2-1.0μm、或0.2和0.5μm、或0.3-0.5μm、或0.2-0.3μm、或0.3-0.4μm、或
0.4-0.5μm的范圍內(nèi)。
62.如權(quán)利要求48至61中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多孔金屬氧化物層中的所述開口的直徑為至少200或250nm。
63.如權(quán)利要求48至61中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多孔金屬氧化物層中的所述開口的直徑在450-550nm的范圍內(nèi)。
64.如權(quán)利要求48至63中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述觸點金屬層延伸至所述孔中以及所述多孔金屬氧化物層的整個表面上方。
65.如權(quán)利要求48至64中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述觸點金屬層是包含鋁、鎳、銅、錫和/或銀的層。
66.如權(quán)利要求48至65中的任一項所述的方法，其中所述觸點金屬層包含鋁或鋁合金。
67.如權(quán)利要求48至66中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述觸點金屬層在所述孔之間的厚度在1-4μm、或1-2μm、或2-3μm、或3-4μm的范圍內(nèi)。
68.如權(quán)利要求48至67中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述觸點金屬層擴散至所述半導(dǎo)體表面中以在所述開口的底部形成金屬-半導(dǎo)體合金。
69.如權(quán)利要求48至68中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述多孔金屬氧化物層中的所述開口內(nèi)的所述半導(dǎo)體表面與周圍的半導(dǎo)體表面中的半導(dǎo)體材料相比被更重地摻雜。
70.如權(quán)利要求48至68中的任一項所述的半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體表面與在所述半導(dǎo)體表面下面的半導(dǎo)體材料相比被更重地摻雜。
71.一種半導(dǎo)體器件，其中存在權(quán)利要求48至70的任意手段的一個或多個的所需組合。
72.一種方法，其中存在權(quán)利要求1至47的任意手段的一個或多個的所需組合。