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化學(xué);冶金 / 晶體生長(通過結(jié)晶的分離一般入B01D9/00)
| 序號 | 專利名 | 申請?zhí)?/th> | 申請日 | 公開（公告）號 | 公開（公告）日 | 發(fā)明人 |
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| 1 | 定向凝固系統(tǒng)爐和用于該爐的隔熱組件和加熱元件 | CN201490000213.8 | 2014-06-18 | CN204803437U | 2015-11-25 | R.C.埃羅伊特; A.J.弗蘭西斯; J.波爾蒂洛 |
| 本實(shí)用新型涉及定向凝固系統(tǒng)爐和用于該爐的隔熱組件和加熱元件。隔熱組件包括布置成大體正方形形狀的側(cè)壁和定位成互連相鄰的側(cè)壁的彎曲的邊緣板。加熱組件包括布置成大體正方形形狀的四個(gè)側(cè)棒。側(cè)棒通過邊緣連接器被彼此電連接。所述邊緣連接器向上或向下延伸所述側(cè)棒的垂直高度的至少1.5倍。 | ||||||
| 2 | 連續(xù)澆鑄單晶硅帶的設(shè)備 | CN201020179627.5 | 2010-04-20 | CN201620208U | 2010-11-03 | 李濤; 潘慶樂; 克諾佩爾·德魯 |
| 一種用于形成單晶硅帶的設(shè)備。該設(shè)備包括硅熔融物在其中形成的坩堝。熔融物被允許大致垂直地流出坩堝并在固化之前與硅種晶接觸。在固化為帶之后，帶的進(jìn)一步冷卻在受控條件下發(fā)生，而帶最終被切割。 | ||||||
| 3 | 石墨基體表面制備碳化硅晶須涂層的方法 | CN201610452857.6 | 2016-06-22 | CN107523877A | 2017-12-29 | 范佳晨; 趙云龍; 徐丹; 徐凱; 徐再; 趙維達(dá) |
| 本申請公開了一種石墨基體表面制備碳化硅晶須涂層的方法，包括步驟：(1)、將氯鉑酸粉末溶解在無水乙醇中，制備催化劑溶液；(2)、將H-PSO溶液和催化劑溶液混合攪拌，獲得混合溶液；(3)、將石墨基體浸漬在混合溶液中，然后進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)；(4)、將交聯(lián)產(chǎn)物置于高溫管式爐中進(jìn)行高溫反應(yīng)；(5)、通過浮選法去除未反應(yīng)的活性炭和碳化硅顆粒，在石墨基體表面得到碳化硅晶須涂層。本發(fā)明所獲得的碳化硅晶須涂層表現(xiàn)出良好的高溫抗氧化性能，在氧化過程中，涂層表面微孔能夠愈合。 | ||||||
| 4 | 釩酸鋰銫中紅外非線性光學(xué)晶體及制備方法和用途 | CN201710853752.6 | 2017-09-20 | CN107523870A | 2017-12-29 | 潘世烈; 韓國鵬; 王穎; 蘇欣 |
| 本發(fā)明涉及一種釩酸鋰銫中紅外非線性光學(xué)晶體及制備方法和用途，其化學(xué)式為Cs2LiVO4，分子量387.69，為正交晶系，空間群是非中心對稱空間群Cmc21，晶胞參數(shù)為a=6.002(12)??，b=12.19(2)?，c=8.203(16)?，α=β=γ=90°，Z=4，V=600(2)?3；采用固相反應(yīng)法及化合物熔體法生長晶體。本發(fā)明所述釩酸鋰銫中紅外非線性光學(xué)晶體的粉末XRD衍射圖與理論值吻合；在1064?nm的激光照射下，該晶體的粉末倍頻效應(yīng)為5倍KDP(KH2PO4)，激光損傷閾值為28倍AGS（AgGaS2）。該晶體生長過程具有操作簡單，成本低，生長周期短，物化性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。在倍頻轉(zhuǎn)換、光參量振蕩器等非線性光學(xué)器件中可以得到廣泛應(yīng)用。 | ||||||
| 5 | 一種在定向凝固過程中抓取雜質(zhì)的方法 | CN201710681586.6 | 2017-08-10 | CN107523861A | 2017-12-29 | 余剛; 王劍; 丁一 |
| 本發(fā)明公開了一種在定向凝固過程中抓取雜質(zhì)的方法，包括以下步驟：(1)在晶體生長初期，將晶體生長爐的功率設(shè)定為0，固液面溫度快速下降；(2)用硅溶液沖刷晶體生長爐的石英坩堝上的氮化硅粉以及氣流帶入的碳，洗刷至晶體開始結(jié)晶時(shí)；洗刷后，碳化硅、氮化硅、金屬等雜質(zhì)隨晶體迅速沉淀形核；(3)再通過溫度緩慢回升，繼續(xù)晶體生長。本發(fā)明利用定向凝固初期生長過程中通過工藝調(diào)整，造成碳化硅、氮化硅、金屬等雜質(zhì)在底部有效可切片部分外沉淀，避免雜質(zhì)隨對流方向擴(kuò)散進(jìn)生長完成的晶體中。 | ||||||
| 6 | 一種基于層級組裝的硅-二氧化鈦-聚吡咯三維仿生復(fù)合材料及應(yīng)用 | CN201510994514.8 | 2015-12-28 | CN105618153B | 2017-12-26 | 石剛; 李贏; 倪才華; 王大偉; 何飛; 遲力峰; 呂男 |
| 本發(fā)明涉及一種基于層級組裝的硅?二氧化鈦?聚吡咯三維仿生復(fù)合材料,依以下方法制備：(1)首先用一定濃度的堿液，對硅片進(jìn)行各向異性刻蝕，在其表面形成緊密排列的四方錐形貌；(2)然后將步驟(1)刻蝕后的硅片進(jìn)行親水處理，在其表面生長二氧化鈦晶種，并置于馬弗爐內(nèi)煅燒；(3)再將步驟(2)中所得到的表面具有二氧化鈦晶種的硅片置于反應(yīng)釜中，采用水熱法在硅錐的側(cè)壁上生長二氧化鈦納米棒；(4)最后在步驟(3)中得到的二氧化鈦納米棒上沉積聚吡咯納米粒子。本發(fā)明所涉及的三維仿生復(fù)合材料兼具優(yōu)異消反射和高效分離光生電荷的能力，可以應(yīng)用到光催化、光電轉(zhuǎn)化器件和太陽能電池等領(lǐng)域。 | ||||||
| 7 | 單晶硅的加工設(shè)備及其使用方法 | CN201710786961.3 | 2017-09-04 | CN107502950A | 2017-12-22 | 吳桂松; 王輝; 孫學(xué)軍; 王鵬; 張經(jīng)行; 張德林; 劉建軍; 楊永軍; 黨文全; 許生發(fā) |
| 本發(fā)明公開了一種單晶硅的加工設(shè)備，涉及單晶硅制造技術(shù)，用于解決一方面，由于熔區(qū)內(nèi)存在熱對流，會產(chǎn)生集膚效應(yīng)，另一方面，雜質(zhì)對硅熔體表面張力的影響很顯著，微量的雜質(zhì)就能引起較大的變化，由于單晶棒拉晶過程中，雜質(zhì)分布不均勻，會導(dǎo)致熔區(qū)發(fā)生流垮，限制了區(qū)熔單晶的直徑的問題。它包括底座、設(shè)置于底座上的反應(yīng)爐、立柱，所述反應(yīng)爐包括主爐室和副爐室，所述立柱設(shè)置于底座左側(cè)，所述立柱上設(shè)有用于控制副爐室升降的副室提升油缸，所述反應(yīng)爐內(nèi)設(shè)置有晶體旋轉(zhuǎn)及升降機(jī)構(gòu)。減少熔區(qū)內(nèi)因熱對流，而會產(chǎn)生集膚效應(yīng)，提高單晶硅導(dǎo)電率，且提高區(qū)熔單晶的直徑。本發(fā)明還提供了單晶硅的加工設(shè)備使用方法。 | ||||||
| 8 | 增強(qiáng)藍(lán)寶石手機(jī)鏡片抗跌落強(qiáng)度的退火方法和退火夾具 | CN201710782995.5 | 2017-09-03 | CN107475778A | 2017-12-15 | 黎錦林 |
| 本發(fā)明提供一種增強(qiáng)藍(lán)寶石手機(jī)鏡片抗跌落強(qiáng)度的退火方法和退火夾具，退火夾具對藍(lán)寶石鏡片起到很好的密封效果，能夠放置加熱和退火過程中雜質(zhì)進(jìn)入夾具而污染鏡片。鏡片卡槽的間距使得插入的手機(jī)鏡片不產(chǎn)生相互觸碰，即鏡片之間具有一定的間距，使得加入退火過程中鏡片的各部分能夠均勻受熱，能夠更有效的消除加工應(yīng)力。在本發(fā)明的退貨夾具中密封進(jìn)行多次的升溫、保溫，能夠防止因?yàn)?a href='/zhuanli/list-23122-1.html' target='_blank'>溫度變化過快導(dǎo)致的裂片現(xiàn)象，保證退火后形成鏡片的堅(jiān)固性。 | ||||||
| 9 | 水熱法生長大尺寸磷酸鉛鋰單晶的方法 | CN201710917439.4 | 2017-09-30 | CN107475768A | 2017-12-15 | 任孟德; 王金亮; 盧福華; 何小玲; 周海濤; 左艷彬; 吳文淵; 張昌龍; 李東平; 覃世杰; 胡喬帆 |
| 本發(fā)明公開了一種水熱法生長大尺寸磷酸鉛鋰單晶的方法，具體是以鉛源和磷酸二氫鋰作為水熱反應(yīng)物，置于高壓釜中，以鋰離子濃度為1-5mol/L的磷酸二氫鋰溶液和/或磷酸氫二鋰溶液作為礦化劑，采用溫差水熱法使水熱反應(yīng)物產(chǎn)生化合反應(yīng)以生長得到磷酸鉛鋰單晶。本發(fā)明將鉛源和磷酸二氫鋰在高壓釜中在溫差水熱條件下直接化合反應(yīng)生長得到磷酸鉛鋰單晶，反應(yīng)基礎(chǔ)原料無需壓制和燒結(jié)，工藝更為簡單；另一方面，采用磷酸二氫鋰溶液和/或磷酸氫二鋰溶液作為礦化劑，既不會引入其它雜質(zhì)，原料利用率也高，礦化劑濃度兼容性好，還能獲得大尺寸的磷酸鉛鋰單晶。 | ||||||
| 10 | 一種熱型模鑄V型連續(xù)鑄造單晶銅的方法 | CN201710737799.6 | 2017-08-24 | CN107460536A | 2017-12-12 | 張春新 |
| 本發(fā)明涉及一種熱型模鑄V型連續(xù)鑄造單晶銅的方法，它包括液體單晶銅，所述液體單晶銅在流通冷卻的過程中，形成V型的流通方式，溫度設(shè)置在1100℃-1500℃，優(yōu)先的，所述溫度的設(shè)置有利用單晶銅的結(jié)晶，優(yōu)先的，所述溫度的設(shè)定使得液體單晶銅的粘性稍大，優(yōu)先的，所述溫度設(shè)定為1400℃；優(yōu)點(diǎn)，因此，本發(fā)明具有產(chǎn)量大和純度高的優(yōu)點(diǎn)。 | ||||||
| 11 | 一種硅片單面刻蝕裝置 | CN201710811292.0 | 2017-09-11 | CN107452658A | 2017-12-08 | 何達(dá)能; 方結(jié)彬; 秦崇德; 陳剛 |
| 本發(fā)明公開了一種硅片單面刻蝕裝置，包括刻蝕室，循環(huán)泵和藥液管道；所述刻蝕室內(nèi)設(shè)置一個(gè)用于承托硅片的旋轉(zhuǎn)工作臺，在旋轉(zhuǎn)工作臺上方設(shè)有噴淋裝置；噴淋裝置與藥液管道連通，刻蝕室底部設(shè)有出水口，出水口與循環(huán)泵通過藥液管道連通；所述旋轉(zhuǎn)工作臺包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置、抽真空裝置和托板，所述托板與旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置的轉(zhuǎn)軸連接以使托板隨轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)，所述托板包括托板本體，空腔和真空吸附孔，空腔位于托板本體的內(nèi)部，真空吸附孔與空腔相連且真空吸附孔貫穿至托板本體上表面，空腔與抽真空裝置相連通。采用本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)硅片單面刻蝕，可控制硅片刻蝕速度和刻蝕深度，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，成本低，易于實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 | ||||||
| 12 | 一種氟代硼鈹酸鉀非線性光學(xué)晶體的水熱生長制備方法 | CN201611005366.3 | 2016-11-11 | CN107447255A | 2017-12-08 | 陳創(chuàng)天; 吳若飛; 王曉洋; 劉麗娟 |
| 一種氟代硼鈹酸鉀非線性光學(xué)晶體的水熱生長制備方法，其制備步驟如下：將鉀源材料、鈹源材料和硼源材料按照摩爾比K:Be:B＝1～6:1～4:1～5的比例混合，放入水熱釜，加入礦化劑水溶液，使鉀源材料、鈹源材料和硼源材料的混合原料溶于礦化劑水溶液中，高溫高壓水熱條件下保持7-15天，之后以1-10℃/小時(shí)的降溫速率降至室溫，過程中實(shí)現(xiàn)氟代硼鈹酸鉀的自發(fā)成核結(jié)晶生長得到氟代硼鈹酸鉀非線性光學(xué)晶體；礦化劑溶液為堿金屬的氫氧化物、堿金屬的鹵化物、銨的氫氧化物或銨的鹵化物；高溫為320～450℃，高壓為200～1200個(gè)大氣壓；具有生長速度較快，成本低等優(yōu)點(diǎn)；所得KBe2BO3F2非線性光學(xué)晶體較強(qiáng)的倍頻輸出，較高的光學(xué)質(zhì)量等優(yōu)點(diǎn)。 | ||||||
| 13 | 局域供碳裝置及局域供碳制備晶圓級石墨烯單晶的方法 | CN201510189745.1 | 2015-04-20 | CN104928649B | 2017-12-05 | 吳天如; 張學(xué)富; 盧光遠(yuǎn); 楊超; 王浩敏; 謝曉明; 江綿恒 |
| 本發(fā)明提供一種局域供碳裝置及局域供碳制備晶圓級石墨烯單晶的方法，方法包括：提供局域供碳裝置；制備鎳銅合金襯底，將鎳銅合金襯底置于局域供碳裝置內(nèi)；將放置有鎳銅合金襯底的局域供碳裝置置于化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的腔室中，在局域供碳裝置中通入氣態(tài)碳源，從而在鎳銅合金襯底上生長石墨烯單晶。本發(fā)明制備得到的石墨烯晶疇結(jié)晶性好，制備條件簡單、成本低，生長所需條件參數(shù)的窗口較寬、重復(fù)性好，為晶圓級石墨烯單晶在石墨烯器件等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用打下了基礎(chǔ)。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。 | ||||||
| 14 | 一種晶體材料、其制備方法及作為激光晶體的應(yīng)用 | CN201710682082.6 | 2017-08-10 | CN107419334A | 2017-12-01 | 王燕; 劉云云; 李堅(jiān)富; 朱昭捷; 游振宇; 涂朝陽 |
| 本申請公開了一種晶體材料，其特征在于，化學(xué)式為CaNdxEryLa(1-x-y)Ga3O7；其中，0.01≤x≤0.05，0.1≤y≤0.3；所述晶體材料屬于四方晶系， 空間群；所述晶體材料由GaO4四面體形成層狀電負(fù)性骨架結(jié)構(gòu)，Nd3+、Er3+、Ca2+和La3+分布在層間，具有無序晶體結(jié)構(gòu)。通過在Er3+激活CaLaGa3O7晶體中摻入Nd+離子，大幅增強(qiáng)了晶體對泵浦光的吸收效率，實(shí)現(xiàn)LD泵浦的～2.7μm波段高效激光輸出，增強(qiáng)了晶體在中紅外波段的熒光發(fā)射，大大地減少4I13/2的壽命和粒子數(shù)，抑制了自終態(tài)瓶頸效應(yīng)，振蕩過程中激光介質(zhì)保持較高的增益，提高了激光輸出的斜率效率。 | ||||||
| 15 | 一種Ｐ型硅母合金的制作方法 | CN201710711370.X | 2017-08-18 | CN107419328A | 2017-12-01 | 彭瑤; 蘇勇; 邱建峰; 王義斌; 周慧敏 |
| 本申請公開了一種P型硅母合金的制作方法，包括根據(jù)目標(biāo)硅母合金中硼元素濃度和磷元素濃度選擇相應(yīng)的硅料；根據(jù)所述硅料的硼元素濃度和磷元素濃度以及目標(biāo)硅母合金中的硼元素濃度和磷元素濃度，計(jì)算需要添加的硼料和磷料的用量；將所述硅料、所述用量的硼料和磷料同時(shí)放入單晶爐中，利用直拉法拉制P型硅母合金。上述P型硅母合金的制作方法，能夠改善P型母合金電阻率的均勻性，且減少硼摻雜劑的用量、電阻率分檔少，從而降低生產(chǎn)成本。 | ||||||
| 16 | 納米晶體的合成、蓋帽和分散 | CN201710217940.X | 2011-10-26 | CN107416764A | 2017-12-01 | 澤赫拉·塞爾皮爾·戈嫩威廉斯; Y·J·王; 羅伯特·J·威塞克; X·白; L·F·郭; 塞琳娜·I·托馬斯; W·徐; J·徐 |
| 本發(fā)明描述了半導(dǎo)體納米晶體和它們在溶劑和其他介質(zhì)中的分散體的制備。在此所描述的納米晶體具有小的(1-10nm)顆粒尺寸和最少的聚集，可高產(chǎn)量地合成。在所合成的納米晶體以及經(jīng)受了帽子交換反應(yīng)的納米晶體上的蓋帽劑可導(dǎo)致在極性和非極性溶劑中的穩(wěn)定的懸浮液的形成，之后所述懸浮液可導(dǎo)致高質(zhì)量的納米復(fù)合物膜的形成。 | ||||||
| 17 | 單晶金剛石及其生長方法 | CN201680014296.X | 2016-03-09 | CN107407005A | 2017-11-28 | D.S.米斯拉 |
| 單晶金剛石，所述單晶金剛石具有在考慮了514.5nm激光的瑞利寬度后經(jīng)校正的半峰全寬，并且顯示：取決于所述金剛石的質(zhì)量，存在或不存在帶負(fù)電荷的硅空位缺陷；在270nm處的吸收系數(shù)下的一定濃度水平的中性取代氮[Ns0]；在10.6μm波長下的FTIR透射率值；當(dāng)峰高為在1332.5cm-1處的峰高時(shí)一定濃度的帶正電荷的取代氮[Ns+]；當(dāng)波長為在3123cm-1處的波長時(shí)不存在氮-空位-氫缺陷(NVH0)物質(zhì)；當(dāng)使用514.5nm激光激發(fā)，一級拉曼光譜峰為在552.37nm處的一級拉曼光譜峰時(shí)，歸一化的光譜；黑色或白色區(qū)域，且具有延遲到金剛石片厚度的折射率；或當(dāng)在室溫、黑暗環(huán)境中將所述金剛石置于355nm激光輻射時(shí)，微紅色輝光和藍(lán)色輝光。 | ||||||
| 18 | 一種電池片制絨腐蝕液及其制備工藝 | CN201710689645.4 | 2017-08-14 | CN107400926A | 2017-11-28 | 蘇世杰; 李強(qiáng)強(qiáng); 張玉前; 郭俊; 張歡 |
| 一種電池片制絨腐蝕液，成分包括：氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨、非離子與陰離子復(fù)配型表面活性劑和水；其中，非離子與陰離子復(fù)配型表面活性劑中非離子表面活性劑為硅酸鈉，陰離子表面活性劑為十二烷基硫酸鈉和脂肪醇醚硫酸鈉中的一種或兩種。本發(fā)明中使用的非離子與陰離子復(fù)配型表面活性劑，比IPA得到的織構(gòu)效果理想，制絨后硅片反射率低，表面潔凈度較好；同時(shí)四甲基氫氧化銨具有與NaOH接近的腐蝕選擇比，并且在硅片表面形成的絨面上的金字塔的尺寸小，腐蝕速率快，有效縮短了制絨時(shí)間；并與溶液中表面活性劑一起作用，提高絨面的平整度和均勻性，降低表面反射率。 | ||||||
| 19 | 外延設(shè)備保養(yǎng)方法 | CN201710626408.3 | 2017-07-27 | CN107400921A | 2017-11-28 | 陳海波 |
| 本發(fā)明提供了一種外延設(shè)備保養(yǎng)方法，所述外延設(shè)備包括反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室具有進(jìn)氣口和出氣口，所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)有基座，用于放置硅片，所述反應(yīng)腔室內(nèi)還安裝有吸熱裝置，所述吸熱裝置位于基座與出氣口之間、且位于反應(yīng)腔室的上半部；所述外延設(shè)備保養(yǎng)方法包括刻蝕步驟，以移除所述反應(yīng)腔室內(nèi)沉積的多晶硅層，需向所述反應(yīng)腔室通入刻蝕性氣體氯化氫和載氣氫氣，刻蝕溫度為1165℃-1175℃。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的外延設(shè)備保養(yǎng)方法，可有效延長設(shè)備保養(yǎng)周期，保養(yǎng)周期提高至大于60000微米/次；提高設(shè)備產(chǎn)能利用率，降低生產(chǎn)成本。 | ||||||
| 20 | 一種單晶硅拉晶用裝置及應(yīng)用該裝置的方法 | CN201710591130.0 | 2017-07-19 | CN107385507A | 2017-11-24 | 劉學(xué); 尚偉澤; 武志軍; 劉偉; 張文霞; 張全順; 王巖; 李建弘 |
| 本發(fā)明提供了一種單晶硅拉晶用裝置，包括爐體、氮?dú)鈿庠春蜌鍤鈿庠?，所述氮?dú)鈿庠赐ㄟ^第一管道和爐體連通，所述氬氣氣源通過第二管道和爐體連通，所述第一管道和第二管道分別設(shè)有質(zhì)量流量計(jì)。本發(fā)明所述的一種單晶硅拉晶用裝置中，爐體連接有氮?dú)鈿庠春蜌鍤鈿庠?，在拉晶過程中通過氬氣---氮?dú)廪D(zhuǎn)換滿足拉晶需求，由于氮?dú)鈨r(jià)格低是氬氣1/5，因此能夠降低氣體成本；同時(shí)，由于摻氮硅單晶的位錯(cuò)激活能比常規(guī)單晶的要高，塑性變形能通過位錯(cuò)滑移釋放較常規(guī)單晶快，因此摻氮單晶能夠提高硅片機(jī)械強(qiáng)度提高硅片機(jī)械強(qiáng)度；其次，摻氮促進(jìn)氧沉淀、減少空洞型缺陷區(qū)域；另外，通過該裝置方法得到的晶體硅，減小了電池光衰。 | ||||||
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