1 |
顯示裝置 |
CN201520697566.4 |
2015-09-10 |
CN205067915U |
2016-03-02 |
曹秉辰; 李大熙; 李啟薰; 張乃元 |
本實(shí)用新型公開了一種顯示裝置。顯示裝置包括顯示面板、輸出光到顯示面板的背光單元以及反射或折射從背光單元輸出的光并向顯示面板提供光的光學(xué)構(gòu)件。背光單元包括:光源,發(fā)射光;導(dǎo)光板,散射從光源發(fā)射的光并將散射的光輻射到導(dǎo)光板的前表面;反射片,將輻射到導(dǎo)光板的后表面的光反射到導(dǎo)光板;量子點(diǎn)片,將輻射到導(dǎo)光板的前表面的光轉(zhuǎn)換成白光;以及光轉(zhuǎn)換材料,提供在背光單元的邊緣部分上以將光轉(zhuǎn)換成白光。 |
2 |
磁傳感器 |
CN200320121490.8 |
2003-12-01 |
CN2800289Y |
2006-07-26 |
佐藤秀樹 |
一種磁體感器,包括單個(gè)襯底,多個(gè)磁阻元件,使所述多個(gè)磁阻元件相互連接的布線部分以及控制電路部分,所過控制電路部分經(jīng)由所述布線部分獲取根據(jù)所述多個(gè)磁阻元件的電阻值而確定的物理量,并且對(duì)該物理量進(jìn)行處理從而產(chǎn)生向外輸出的輸出信號(hào),其中所述磁傳感器還包括多個(gè)疊置在所述襯底上的層;所述磁阻元件形成在所述多個(gè)層中的一個(gè)層的上表面;所述布線部分和所述控制電路部分形成在所述襯底以及所述多個(gè)層中;并且所述磁阻元件、所達(dá)布線部分、以及所述控制電路部分都通過連接部分而在所述多個(gè)層中相互連接,所達(dá)連接部分由導(dǎo)電物質(zhì)構(gòu)成并且沿著與所述層的層表面相交的方向延伸。 |
3 |
磁感應(yīng)器 |
CN200320116792.6 |
2003-10-16 |
CN2657206Y |
2004-11-17 |
佐藤秀樹; 相曾功吉; 涌井幸夫 |
磁感應(yīng)器包括結(jié)合在一起以形成正方形石英襯底(2)上的GMR元件(11-14,21-24)的磁阻元件(31)和永久磁鐵膜(32),其中所述永久磁鐵膜成對(duì)并連接到所述磁阻元件的兩端,以便通過相對(duì)于石英襯底的四條邊適當(dāng)排列GMR元件來實(shí)現(xiàn)X軸磁感應(yīng)器和Y軸磁感應(yīng)器,這里,磁阻元件的被釘扎層(PD)的磁化方向與磁阻元件的縱向方向或永久磁鐵膜的磁化方向成45°的規(guī)定角。因此,即使當(dāng)強(qiáng)磁場(chǎng)作用時(shí),可以可靠抑制GMR元件的橋連接的偏移變化;并且因此可以顯著提高對(duì)強(qiáng)磁場(chǎng)的阻抗特性。 |
4 |
基于碳納米管的太陽能電池及形成其的設(shè)備 |
CN201090000947.8 |
2010-06-09 |
CN202839630U |
2013-03-27 |
O·那拉瑪蘇; C·蓋伊; V·L·普施帕拉吉; K·K·辛格; R·J·維瑟; M·A·孚德; R·霍夫曼 |
本實(shí)用新型涉及基于碳納米管的太陽能電池及形成其的設(shè)備。太陽能電池中設(shè)有碳納米管(CNT),這些碳納米管用于:界定太陽能電池的微米/次微米幾何尺寸;及/或做為電荷傳輸體,以有效地從吸收層移除電荷載流子以減少吸收層中的電子空穴復(fù)合速率。太陽能電池可包含:基材;多個(gè)在該基材的該表面上的金屬催化劑的區(qū)域;多個(gè)碳納米管束狀物,形成于該多個(gè)金屬催化劑的區(qū)域上,每一束狀物包括大略垂直于該基材的該表面而呈對(duì)準(zhǔn)的碳納米管;以及光活性太陽能電池層,形成于這些碳納米管束狀物及該基材的暴露表面上,其中該光活性太陽能電池層在這些碳納米管束狀物上及該基材的該暴露表面上為連續(xù)的。光活性太陽能電池層可包含非晶硅p/i/n薄膜;然而,本實(shí)用新型的概念亦可應(yīng)用至具有微晶硅、SiGe、碳摻雜微晶硅、CIS、CIGS、CISSe以及各種p型二六族二元化合物以及三元與四元化合物的吸收層的太陽能電池。 |
5 |
一種納米圖形化系統(tǒng)及其磁場(chǎng)施加裝置 |
CN201220138269.2 |
2012-04-01 |
CN202533709U |
2012-11-14 |
于國(guó)強(qiáng); 郭鵬; 韓秀峰; 郭朝暉; 孫曉玉; 周向前 |
一種納米圖形化系統(tǒng)及其磁場(chǎng)施加裝置,該納米圖形化系統(tǒng)包括真空腔、樣品臺(tái)和磁場(chǎng)施加裝置,該磁場(chǎng)施加裝置包括電源、磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置和一對(duì)磁極,所述磁場(chǎng)產(chǎn)生裝置包括線圈和導(dǎo)磁軟鐵芯,所述電源與所述線圈連接,所述線圈纏繞在所述導(dǎo)磁軟鐵芯上以產(chǎn)生磁場(chǎng),所述導(dǎo)磁軟鐵芯為半閉合框形結(jié)構(gòu),所述磁極分別安裝在所述半閉合框形結(jié)構(gòu)的兩末端,所述納米圖形化系統(tǒng)的真空腔內(nèi)設(shè)置有樣品臺(tái),所述磁極相對(duì)于所述樣品臺(tái)設(shè)置在所述真空腔內(nèi),所述線圈和所述導(dǎo)磁軟鐵芯設(shè)置在所述真空腔外,所述導(dǎo)磁軟鐵芯將所述線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)引導(dǎo)進(jìn)入所述真空腔內(nèi),所述磁極用以對(duì)所述樣品臺(tái)上的樣品進(jìn)行定位以及局域磁場(chǎng)的施加。 |
6 |
單一芯片橋式磁場(chǎng)傳感器 |
CN201120409449.5 |
2011-10-25 |
CN202494771U |
2012-10-17 |
雷嘯鋒; 薛松生; 金英西; 詹姆斯·G·迪克; 沈衛(wèi)鋒; 王建國(guó); 劉明峰 |
本發(fā)明公開了一種單一芯片橋式磁場(chǎng)傳感器,所述設(shè)計(jì)中GMR或MTJ磁電阻元件的磁性自由層的磁矩方向采用形狀各向異性進(jìn)行偏置,磁電阻元件具有使自由層磁矩方向指向其磁性易軸方向的形狀,特別地形狀可以是橢圓,長(zhǎng)方形,菱形;優(yōu)選地采用集成于芯片上的片狀永磁體對(duì)推挽全橋電阻的自由層磁矩進(jìn)行輔助偏置。采用該設(shè)計(jì)可以在同一芯片上,一次直接生產(chǎn)出推挽橋式傳感器。所公開的單一芯片橋式磁場(chǎng)傳感器相對(duì)傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)具有,輸出穩(wěn)定,性能更好,工藝簡(jiǎn)單,成本更低的特點(diǎn)。 |
7 |
攝像透鏡及攝像裝置 |
CN201020209158.7 |
2010-05-26 |
CN201716459U |
2011-01-19 |
山川博充 |
本實(shí)用新型提供一種攝像透鏡及攝像裝置,該攝像透鏡以小型且低成本地構(gòu)成,實(shí)現(xiàn)廣角化和高的光學(xué)性能。攝像透鏡從物側(cè)依次配置如下部件而成:第1透鏡(L1),具有負(fù)的光焦度,物側(cè)的面為凸形狀,像側(cè)的面為凹形狀;第2透鏡(L2),物側(cè)的面及像側(cè)的面為非球面,在光軸附近具有負(fù)的光焦度,物側(cè)的面在光軸附近為凹形狀,像側(cè)的面在光軸附近為凸形狀;第3透鏡(L3),物側(cè)的面及像側(cè)的面為非球面,在光軸附近具有正的光焦度,物側(cè)的面在光軸附近為凸形狀,像側(cè)的面在光軸附近為凸形狀;光闌;第4透鏡(L4),物側(cè)的面及像側(cè)的面為非球面,在光軸附近具有正的光焦度,物側(cè)的面在光軸附近為凹形狀,像側(cè)的面在光軸附近為凸形狀。 |
8 |
磁體陣列 |
CN200520011883.2 |
2005-03-11 |
CN2791885Y |
2006-06-28 |
大橋俊幸; 相曾功吉 |
本實(shí)用新型涉及一種磁體陣列,其包含多個(gè)永磁體和由磁性材料制成的薄板磁軛。永磁體為長(zhǎng)方體形狀并在其對(duì)立端面上形成磁極,其按四方格子陣列方式排列,其端面共面,且兩個(gè)最近鄰的永磁體的端面上產(chǎn)生的磁極在極性上不同。磁軛具有以與永磁體相同的方式排列的多個(gè)通孔,每個(gè)通孔包括正方形部分和矩形部分,該正方形部分的形狀與永磁體的橫截面形狀相同,每個(gè)矩形部分沿該正方形部分的一邊的中心部分形成并將該中心部分作為其長(zhǎng)邊。該多個(gè)永磁體穿過該多個(gè)通孔的相應(yīng)的正方形部分插入,且永磁體的端面所在的平面位于磁軛的上表面和下表面之間。本磁體陣列可用于批量制造磁傳感器。 |
9 |
一種碳納米管磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 |
CN200420093158.X |
2004-09-10 |
CN2751412Y |
2006-01-11 |
王天興; 魏紅祥; 曾中明; 李飛飛; 張謝群; 韓秀峰 |
本實(shí)用新型公開了一種以碳納米管作為勢(shì)壘層的磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,該MRAM單元中的磁性薄膜存儲(chǔ)單元為以碳納米管作為勢(shì)壘層的磁性隧道結(jié)(MTJ),MRAM單元中的信息寫入操作由一個(gè)平行于磁性薄膜存儲(chǔ)單元的電流以及另一個(gè)垂直于磁性薄膜存儲(chǔ)單元并流經(jīng)該單元的電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)的共同作用來完成。本實(shí)用新型采用碳納米管作為勢(shì)壘層,確保了隧道結(jié)電阻的均勻性,同時(shí)克服了采用Al2O3作為勢(shì)壘層形成的許多缺陷,如pinhole等。 |
10 |
納米銀創(chuàng)傷貼 |
CN01223000.6 |
2001-05-08 |
CN2479952Y |
2002-03-06 |
朱紅軍 |
本實(shí)用新型公開了一種納米銀創(chuàng)傷貼,它由廣譜抗菌納米銀微粉、醫(yī)用熱熔膠、纖維材料、醫(yī)用膠貼材料構(gòu)成,纖維材料粘貼在醫(yī)用膠貼材料上,在纖維材料上部噴射有醫(yī)用熱熔膠和廣譜抗菌納米銀微粉,保護(hù)紙粘貼在醫(yī)用膠貼材料的邊緣上,而后用傳統(tǒng)制作創(chuàng)口貼工藝制成納米銀創(chuàng)傷貼。本實(shí)用新型的產(chǎn)品能有效地殺滅多種致病菌,加速創(chuàng)面的愈合,縮短治療周期,減少病人的病痛。 |
11 |
用于基于納米線探測(cè)器的核酸測(cè)序的設(shè)備 |
CN201520202280.4 |
2015-04-03 |
CN204714802U |
2015-10-21 |
M·A·比安凱西; F·費(fèi)拉拉 |
本公開的各個(gè)實(shí)施例涉及用于基于納米線探測(cè)器的核酸測(cè)序的設(shè)備。一種用于核酸測(cè)序的設(shè)備包括:在探測(cè)位置處的堿基探測(cè)裝置,其被配置用于探測(cè)核酸鏈在探測(cè)位置處的部分的堿基;以及輸運(yùn)裝置,其被配置用于延展核酸鏈、并且使得延展的核酸鏈沿著路徑滑動(dòng)通過探測(cè)位置。堿基探測(cè)裝置包括:多個(gè)場(chǎng)效應(yīng)納米線探測(cè)器,沿著路徑設(shè)置,并且每個(gè)場(chǎng)效應(yīng)納米線探測(cè)器包括相應(yīng)的納米線和核酸探針,核酸探針由相應(yīng)的堿基序列限定、并且固定至相應(yīng)的納米線。 |
12 |
一種半導(dǎo)體器件 |
CN201190000071.1 |
2011-08-05 |
CN202633239U |
2012-12-26 |
尹海洲; 駱志炯; 朱慧瓏 |
本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體器件,包括:襯底,所述襯底為碳化硅、體硅、摻雜或未摻雜的硅玻璃中的一種或其組合;石墨烯層或碳納米管層,所述石墨烯層或碳納米管層形成于所述襯底上;柵極結(jié)構(gòu),所述柵極結(jié)構(gòu)形成于所述石墨烯層或碳納米管層上,且暴露部分所述石墨烯層或碳納米管層;金屬接觸層,所述金屬接觸層環(huán)繞所述柵極結(jié)構(gòu),且位于暴露的所述石墨烯層或碳納米管層上。 |
13 |
含納米顆粒層的電界面 |
CN201020185529.2 |
2010-03-18 |
CN202205478U |
2012-04-25 |
X·周; A·A·埃爾莫斯; J·A·麥普克爾; J·J·本克; W·E·比蒂; R·W·米勒 |
一種電界面包含納米顆粒層。電界面還包含第一導(dǎo)體和第二導(dǎo)體。納米顆粒層與第一和第二導(dǎo)體電耦合在一起。該電界面能增加電接觸界面的熱學(xué)和電學(xué)傳輸性質(zhì),從而增加了電子產(chǎn)品包括電界面的安全性和可靠性。 |
14 |
磁傳感器 |
CN02282949.0 |
2002-10-29 |
CN2600826Y |
2004-01-21 |
鈴木利尚; 佐藤秀樹; 金子誠(chéng) |
提供一種磁傳感器,設(shè)置有用來產(chǎn)生施加在磁電阻效應(yīng)元件的偏置磁場(chǎng)的節(jié)省空間且耗電低的線圈。磁傳感器設(shè)置有薄膜狀的磁隧道效應(yīng)元件(磁電阻效應(yīng)元件)11。線圈21被配置在磁隧道效應(yīng)元件11的下方平行于該元件的薄膜面的面內(nèi),并且是由渦旋狀的第一導(dǎo)線部21-1和渦旋狀的第二導(dǎo)線部21-2構(gòu)成的雙渦旋型的線圈。平面上看,磁隧道效應(yīng)元件11被配置在第一導(dǎo)線部21-1的渦旋中心P1和第二導(dǎo)線部21-2的渦旋中心P2之間。平面上看第一導(dǎo)線部21-1與磁隧道效應(yīng)元件11重疊的部分和同一平面上看第二導(dǎo)線部21-2與磁隧道效應(yīng)元件11重疊的部分把第一、第二導(dǎo)線部21-1、21-2連接起來,以便流過同一方向的電流。 |
15 |
氧化鈰-細(xì)菌纖維素負(fù)載鈀基燃料電池催化劑的制備方法 |
CN201710459144.7 |
2017-06-16 |
CN107528070A |
2017-12-29 |
溫翠蓮; 姚勁毅; 洪云; 張騰; 薩百晟; 魏穎 |
本發(fā)明公開了一種氧化鈰-細(xì)菌纖維素負(fù)載鈀基燃料電池催化劑的制備方法,屬于燃料電池催化材料制備技術(shù)領(lǐng)域。將CeCl3·7H2O和經(jīng)過前處理的細(xì)菌纖維素溶于水中充分分散攪拌,干燥和煅燒獲得氧化鈰-細(xì)菌纖維素載體,隨后加入氯鈀酸溶液中充分?jǐn)嚢?,通過液相還原法負(fù)載鈀納米催化劑顆粒,得到鈀基燃料電池催化劑。氧化鈰和細(xì)菌纖維素的復(fù)合可顯著改善鈀顆粒的分散性,獲得的鈀催化劑粒徑小,從而提高催化劑對(duì)醇類的催化活性和穩(wěn)定性。本發(fā)明制備原料簡(jiǎn)單易得,工藝穩(wěn)定,具有產(chǎn)業(yè)化前景。 |
16 |
一種四面體狀CuCl/Pd合金的制備方法 |
CN201710645396.9 |
2017-08-01 |
CN107520463A |
2017-12-29 |
張春勇; 陸芳; 程潔紅; 趙德建; 舒莉; 文穎頻; 秦恒飛; 劉維橋; 周月; 鄭純智; 張國(guó)華; 周全法 |
本發(fā)明公開了一種四面體狀CuCl/Pd合金的制備方法,包括以下步驟:將Vc水溶液加入前驅(qū)CuCl2水溶液中,反應(yīng),再加入PdCl2水溶液,反應(yīng),離心,洗滌干燥得到四面體狀CuCl/Pd合金。本發(fā)明采用Vc還原劑,無任何分散劑、模板劑和有機(jī)溶劑;工藝簡(jiǎn)單,常溫、常壓下,短時(shí)間靜置即可完成反應(yīng),所得四面體狀CuCl/Pd合金形貌、尺寸均一性較好、重復(fù)性好。 |
17 |
銅納米顆粒的制備方法和抗菌塑料 |
CN201610452683.3 |
2016-06-21 |
CN107520459A |
2017-12-29 |
范佳晨; 趙云龍; 徐丹; 徐凱; 徐再; 趙維達(dá) |
本申請(qǐng)公開了一種銅納米顆粒的制備方法和抗菌塑料,該方法包括步驟:(1)、將聚乙烯吡咯烷酮和硫酸銅水溶液溶解于蒸餾水中,并進(jìn)行攪拌混合;(2)、將混合溶液升溫至40~50℃,在攪拌狀態(tài)下加入N2H4·H2O,繼續(xù)攪拌混合;(3)、離心分離、超聲洗滌并干燥,獲得銅納米顆粒。本發(fā)明銅納米顆粒對(duì)大腸桿菌、金黃色葡萄球菌具有良好的抑菌、殺菌作用。 |
18 |
鎳銅合金納米粉的制備方法 |
CN201610445368.8 |
2016-06-20 |
CN107520457A |
2017-12-29 |
范思遠(yuǎn) |
本申請(qǐng)公開了一種鎳銅合金納米粉的制備方法,包括步驟:(1)、以純鎳絲和純銅絲為原料,用真空電弧爐練成合金錠,將合金錠加入真空系統(tǒng),抽真空控制系統(tǒng)壓強(qiáng)在3×10-3Pa以下;(2)、真空系統(tǒng)中充入氬氣氣體;(3)、在陽極和陰極之間引燃電弧,通過直流電弧等離子蒸發(fā)法使得合金錠融化;(4)、充入氫氣并控制一定氫氬比和控制電流大小,獲得氫電弧等離子體火焰,融化的合金錠以金屬蒸汽方式蒸發(fā);(5)、通過風(fēng)機(jī)使得金屬蒸汽進(jìn)入收粉室進(jìn)行沉積,關(guān)閉電弧,充入氬氣降低系統(tǒng)壓力,純化8~10小時(shí),收集粉末。本發(fā)明獲得的合金粒子基本呈球形,粒徑分布均勻,尺寸基本在納米級(jí)。 |
19 |
銅納米粉的制備方法 |
CN201610445367.3 |
2016-06-20 |
CN107520456A |
2017-12-29 |
范思遠(yuǎn) |
本申請(qǐng)公開了一種銅納米粉的制備方法,包括步驟:(1)、以純銅絲為原料,加入真空系統(tǒng),抽真空控制系統(tǒng)壓強(qiáng)在3×10-3Pa以下;(2)、真空系統(tǒng)中充入氬氣氣體;(3)、在陽極和陰極之間引燃電弧,陰極材料為鎢金屬,通過直流電弧等離子蒸發(fā)法使得純銅絲融化;(4)、充入氫氣并控制一定氫氬比和電流大小,獲得氫電弧等離子體火焰,融化的純銅絲以金屬蒸汽方式蒸發(fā);(5)、通過風(fēng)機(jī)使得金屬蒸汽進(jìn)入收粉室進(jìn)行沉積,關(guān)閉電弧,充入氬氣降低系統(tǒng)壓力,純化一定時(shí)間,收集粉末。本發(fā)明獲得的納米粉大部分為球形,粒徑分布均勻,粒子尺寸在納米級(jí),銅粉顆粒之間兩兩連接,一定范圍內(nèi)呈鏈條狀分布。 |
20 |
光電部件 |
CN201480016298.3 |
2014-02-21 |
CN105308768B |
2017-12-29 |
卡斯滕·瓦爾策; 馬丁·法伊弗; 安德烈·魏斯; 克里斯蒂安·烏里希; 瑪麗埃塔·列維奇科娃; 京特·馬特斯 |
本發(fā)明涉及一種包括光敏層的光電部件,該光敏層被安排在電極與對(duì)電極之間。除了供體?受體體系之外,該光敏層還包括第三材料,該第三材料影響該供體?受體體系的結(jié)晶。該第三材料選自:冠醚、三聯(lián)苯、山梨糖醇、喹吖啶酮以及雙(4?(叔丁基)苯甲酰?氧)?羥基鋁。冠醚是尤其優(yōu)選的。 |