CMOS薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板
專利匯可以提供CMOS薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板專利檢索，專利查詢，專利分析的服務(wù)。并且本 發(fā)明 提供一種CMOS 薄膜 晶體管及其制備方法、 顯示面板 ，采用高遷移 薄膜晶體管 器件，通過(guò)使用 碳 納米管 有源層和金屬 氧 化物有源層來(lái)構(gòu)建p型區(qū)以及n型區(qū)的CMOS薄膜晶體管，可降低功耗、提高增益、改善 穩(wěn)定性 、減小器件反應(yīng)時(shí)間。并且通過(guò)將柵極鑲進(jìn)柔性 基板 中，可減小CMOS薄膜晶體管的高度，防止后續(xù)制程中出現(xiàn)爬坡斷線問(wèn)題；p型區(qū) 碳納米管 TFT和n型區(qū)金屬氧化物TFT是在同一基板上形成的，因此n型區(qū)的薄膜晶體管以及p型區(qū)的薄膜晶體管由獨(dú)立的柵極進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，可改善CMOS 反相器 的性能。，下面是CMOS薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板專利的具體信息內(nèi)容。
1.一種CMOS薄膜晶體管，其特征在于，包括:
柔性基板，具有n型區(qū)以及p型區(qū)；
柵極，設(shè)于所述柔性基板中且顯露于所述柔性基板的一側(cè)；
絕緣層，設(shè)于所述柔性基板以及所述柵極上；
有源層，設(shè)于所述絕緣層上且對(duì)應(yīng)所述柵極；
源漏極金屬層，設(shè)于所述有源層以及所述絕緣層上；
鈍化層，設(shè)于所述絕緣層、所述有源層以及所述源漏極金屬層上；
第一金屬層，設(shè)于所述鈍化層上，一端連接位于所述n型區(qū)的所述源漏極金屬層，另一端連接位于所述p型區(qū)的源漏極金屬層；
其中，在所述n型區(qū)，所述有源層為金屬氧化物有源層，在所述p型區(qū)，所述有源層為碳納米管有源層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS薄膜晶體管，其特征在于，
所述金屬氧化物為銦鎵錫氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS薄膜晶體管，其特征在于，
在所述n型區(qū)，所述有源層的遷移率為30cm2/Vs；和/或，
在所述p型區(qū)，所述有源層的遷移率為30cm2/Vs。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS薄膜晶體管，其特征在于，
所述鈍化層具有一凹槽，所述凹槽設(shè)于所述n型區(qū)以及所述p型區(qū)之間，所述第一金屬層還設(shè)于所述凹槽中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS薄膜晶體管，其特征在于，
所述鈍化層還包括一對(duì)應(yīng)所述n型區(qū)的第一過(guò)孔，所述第一過(guò)孔延伸至所述源漏極金屬層表面，所述第一金屬層通過(guò)所述第一過(guò)孔連接所述n型區(qū)的所述源漏極金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMOS薄膜晶體管，其特征在于，
所述鈍化層還包括一對(duì)應(yīng)所述p型區(qū)的第二過(guò)孔，所述第二過(guò)孔延伸至所述源漏極金屬層表面，所述第一金屬層通過(guò)所述第二過(guò)孔連接所述p型區(qū)的所述源漏極金屬層。
7.一種CMOS薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：
提供一柔性基板，所述柔性基板具有n型區(qū)以及p型區(qū)；
在所述n型區(qū)以及所述p型區(qū)分別沉積一柵極于所述柔性基板中且顯露于所述柔性基板的一側(cè)；
沉積一絕緣層于所述柔性基板以及所述柵極上；
在所述n型區(qū)，沉積并圖案化一金屬氧化物有源層；
在所述p型區(qū)，沉積并圖案化一碳納米管有源層；
在所述n型區(qū)以及所述p型區(qū)分別沉積并圖案化一源漏極金屬層于所述有源層以及所述絕緣層上；
沉積一鈍化層于所述絕緣層、所述有源層以及所述源漏極金屬層上；
沉積一第一金屬層于所述鈍化層上，所述第一金屬層一端連接位于所述n型區(qū)的所述有源層，另一端連接位于所述p型區(qū)的源漏極金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CMOS薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，
在所述n型區(qū)以及所述p型區(qū)分別沉積并圖案化一柵極于所述柔性基板中且顯露于柔性基板的一側(cè)的步驟中，具體包括：
在所述n型區(qū)以及所述p型區(qū)分別納米壓印一開(kāi)槽；
在所述n型區(qū)以及所述p型區(qū)的所述開(kāi)槽中涂覆納米銀膠，并高溫形成一柵極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的CMOS薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述p型區(qū)沉積并圖案化一碳納米管有源層的步驟中，具體包括：將一金屬原料沉浸到碳納米管溶液中，取出、烘干，重復(fù)三次后，涂布光刻膠、曝光顯影、氧等離子體刻蝕、洗脫光刻膠后得到碳納米管原料；
將得到的所述碳納米管原料沉積在所述絕緣層上，圖案化形成所述碳納米管有源層。
10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～6任一項(xiàng)所述的CMOS薄膜晶體管。
CMOS薄膜晶體管及其制備方法、顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
背景技術(shù)
陽(yáng)能電池的接觸電極)。為了拓寬氧化物半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)類似于目前集成電路中的高速、低功耗的硅基互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)電子單元的氧化物CMOS邏輯單元，高
性能p-type半導(dǎo)體材料是必不可少的。
雖然多數(shù)有機(jī)半導(dǎo)體呈現(xiàn)p-type傳導(dǎo)，但有機(jī)TFT的空穴遷移率較低(<2cm2V-1s-1)，器件壽命、器件和器件之間的均勻性以及器件在氧氣氛和潮濕環(huán)境下的穩(wěn)定性均比較差，且有機(jī)
材料的可加工性能也較差。
優(yōu)勢(shì)。盡管CNT-TFT技術(shù)尚處于實(shí)驗(yàn)室研究階段，但其遷移率、開(kāi)態(tài)電流具有明顯優(yōu)勢(shì)，且工藝溫度以及工藝復(fù)雜度都較低，更重要的是CNT-TFT的溝道層可以采用碳納米管溶液制備，原則上可以利用印刷工藝實(shí)現(xiàn)大規(guī)模低成本制造。
發(fā)明內(nèi)容
金屬層。
金屬層。
層上；沉積一鈍化層于所述絕緣層、所述有源層以及所述源漏極金屬層上；沉積一第一金屬層于所述鈍化層上，所述第一金屬層一端連接位于所述n型區(qū)的所述有源層，另一端連接位于所述p型區(qū)的源漏極金屬層。
印一凹槽；在所述n型區(qū)以及所述p型區(qū)的所述凹槽中涂覆納米銀膠，并高溫形成一柵極。
緣層上，圖案化形成所述碳納米管有源層。
斷線問(wèn)題；p型區(qū)碳納米管TFT和n型區(qū)金屬氧化物TFT是在同一基板上形成的，因此n型區(qū)的薄膜晶體管以及p型區(qū)的薄膜晶體管由獨(dú)立的柵極進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，可改善CMOS反相器的性能。
附圖說(shuō)明
具體實(shí)施方式
物。
金屬層105的源極走線。
述源漏極金屬層105的漏級(jí)走線。
驅(qū)動(dòng)，可改善CMOS反相器的性能。
金屬層105的源極走線。在所述p型區(qū)120，所述鈍化層106還包括一對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔1063，所述第二過(guò)孔1063延伸至所述源漏極金屬層105表面，所述第一金屬層107通過(guò)所述第二過(guò)孔
1063連接所述源漏極金屬層105的漏級(jí)走線。
CMOS薄膜晶體管100，可降低功耗、提高增益、改善穩(wěn)定性、減小器件反應(yīng)時(shí)間。并且通過(guò)將柵極102鑲進(jìn)柔性基板101中，可減小CMOS薄膜晶體管100的高度，防止后續(xù)制程中出現(xiàn)爬坡斷線問(wèn)題；p型區(qū)120碳納米管TFT和n型區(qū)110金屬氧化物TFT是在同一基板上形成的，因此n型區(qū)110的薄膜晶體管以及p型區(qū)120的薄膜晶體管由獨(dú)立的柵極102進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，可改善CMOS
反相器的性能。
區(qū)以及n型區(qū)的CMOS薄膜晶體管，可降低功耗、提高增益、改善穩(wěn)定性、減小器件反應(yīng)時(shí)間。
并且通過(guò)將柵極鑲進(jìn)柔性基板中，可減小CMOS薄膜晶體管的高度，防止后續(xù)制程中出現(xiàn)爬
坡斷線問(wèn)題；p型區(qū)碳納米管TFT和n型區(qū)金屬氧化物TFT是在同一基板上形成的，因此n型區(qū)的薄膜晶體管以及p型區(qū)的薄膜晶體管由獨(dú)立的柵極進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，可改善CMOS反相器的性能。
的變換或替代以及改型。
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