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一種半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法及半導(dǎo)體激光器

閱讀：311發(fā)布：2020-05-08

專利匯可以提供一種半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法及半導(dǎo)體激光器專利檢索，專利查詢，專利分析的服務(wù)。并且本 發(fā)明 提供一種 半導(dǎo)體 激光器 的 鍍 膜 方法及半導(dǎo)體激光器，該半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法包括：對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片的表面進(jìn)行解理形成解理面；通過(guò) 電子 回旋 等離子體 清洗解理面；在解理面上形成 鈍化 層。通過(guò) 電子回旋共振 等離子體對(duì)解理面進(jìn)行清洗時(shí)，無(wú)需對(duì)激光器芯片進(jìn)行高溫加熱，從而避免了因 溫度 高導(dǎo)致的激光器芯片 電極 退化、效率降低的問題，并且由于電子回旋共振等離子體的 能量 低，對(duì)半導(dǎo)體激光器的解理面進(jìn)行 正面 轟擊也不會(huì)對(duì)解理面造成損傷。因此通過(guò)該半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法對(duì)半導(dǎo)體激光器加工，既可以抑制半導(dǎo)體激光器出光腔面的災(zāi)變式的光學(xué)損傷，也不會(huì)在鍍膜過(guò)程中對(duì)激光器造成電極退化、效率降低、解理面損傷等負(fù)面影響。，下面是一種半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法及半導(dǎo)體激光器專利的具體信息內(nèi)容。

1.一種半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，其特征在于，包括：
對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片的表面進(jìn)行解理形成解理面；
通過(guò)電子回旋等離子體清洗所述解理面；
在所述解理面上形成鈍化層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，其特征在于，在所述對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片的表面進(jìn)行解理形成解理面的步驟之后，所述通過(guò)電子回旋等離子體清洗所述解理面的步驟之前，還包括：
將解理后的半導(dǎo)體激光器芯片放置在真空環(huán)境中；
對(duì)所述半導(dǎo)體激光器芯片的加熱溫度為50℃-200℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，其特征在于，所述通過(guò)電子回旋等離子體清洗所述解理面，包括：
通過(guò)電子回旋等離子氫或等離子氬清洗所述解理面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，其特征在于，所述在所述解理面上形成鈍化層，包括：
在700℃-1000℃的溫度下，通過(guò)分子束外延生長(zhǎng)技術(shù)在所述解理面上進(jìn)行鍍膜沉積，形成鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，其特征在于，
進(jìn)行鍍膜沉積的鍍膜材料為非氧化物鈍化材料，所述鈍化層的厚度為10-100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，其特征在于，在所述在所述解理面上形成鈍化層的步驟之后，還包括：
在所述鈍化層上形成鍍膜層。
7.一種半導(dǎo)體激光器，其特征在于，包括：
半導(dǎo)體激光器芯片；
鈍化層，通過(guò)如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法形成在所述激光器芯片的出光側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，
所述鈍化層的材料為非氧化物鈍化材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，還包括：
鍍膜層，形成在所述鈍化層上。

說(shuō)明書全文

一種半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法及半導(dǎo)體激光器

技術(shù)領(lǐng)域

[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法及半導(dǎo)體激光器。

背景技術(shù)

[0002] 當(dāng)高功率GaAs基半導(dǎo)體激光器工作時(shí)，出光腔面位置的部分光子會(huì)被腔面位置的有源區(qū)吸收，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，如果腔面具有一層薄的氧化物，這個(gè)有源區(qū)吸收產(chǎn)生電子-空穴的過(guò)程尤其嚴(yán)重。其中一部分電子-空穴對(duì)會(huì)重新復(fù)合變成光子，另一部分電子-空穴對(duì)會(huì)通過(guò)非輻射復(fù)合的方式轉(zhuǎn)換成熱能，導(dǎo)致腔面位置的溫度升高，進(jìn)一步加速腔面材料的氧化。與此同時(shí)，腔面氧化后會(huì)促進(jìn)非輻射復(fù)合，進(jìn)一步提升腔面位置的溫度，從而構(gòu)成惡性循環(huán)，最終導(dǎo)致腔面位置溫度上升到材料熔點(diǎn)，引起腔面位置的損傷COD(Catastrophic?Optical?Damage,災(zāi)變式的光學(xué)損傷)。
[0003] 為了降低COD，高功率半導(dǎo)體激光器需要采用腔面無(wú)氧化及鈍化處理，減少在界面上光子吸收。其中一種方法為通過(guò)真空解理實(shí)現(xiàn)無(wú)氧表面，然后進(jìn)行鈍化處理，但這個(gè)方法的機(jī)械操作難度很大，良率低，規(guī)?；a(chǎn)不容易；另一個(gè)方法為在大氣中解理再在真空下進(jìn)行物理或化學(xué)清洗去除表面的氧化膜，然后再鍍上鈍化膜。在大氣中解理再在真空下進(jìn)行清洗去除表面的氧化膜一般是在高真空環(huán)境下對(duì)激光器芯片端面進(jìn)行高溫(300℃-500℃)加熱，通過(guò)等離子體進(jìn)行清洗，去除表面氧化層，清洗后在腔面位置原位加蓋鈍化層，避免氧和其他雜質(zhì)對(duì)腔面的污染，以達(dá)到抑制腔面氧化、提升半導(dǎo)體激光器腔面COD水平的效果。但是該技術(shù)目前在GaAs基的半導(dǎo)體激光器上難以實(shí)現(xiàn)，其中一個(gè)原因便是受限于技術(shù)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)所需的高溫環(huán)境對(duì)半導(dǎo)體激光器表面的金屬電極的影響，且在高溫環(huán)境下半導(dǎo)體激光器芯片上面電極會(huì)受溫度影響產(chǎn)生二次退化，導(dǎo)致芯片電壓增加，效率降低。

發(fā)明內(nèi)容

[0004] 因此，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)GaAs基的半導(dǎo)體激光器進(jìn)行等離子清洗時(shí)的高溫環(huán)境對(duì)半導(dǎo)體激光器帶來(lái)?yè)p傷的缺陷，從而提供一種半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法及半導(dǎo)體激光器。
[0005] 本發(fā)明第一方面提供一種半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，包括：對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片的表面進(jìn)行解理形成解理面；通過(guò)電子回旋等離子體清洗所述解理面；在所述解理面上形成鈍化層。
[0006] 可選地，在所述對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片的表面進(jìn)行解理形成解理面的步驟之后，所述通過(guò)電子回旋等離子體清洗所述解理面的步驟之前，還包括：將解理后的半導(dǎo)體激光器芯片放置在真空環(huán)境中；對(duì)所述半導(dǎo)體激光器芯片的加熱溫度為50℃-200℃。
[0007] 可選地，通過(guò)電子回旋等離子體清洗所述解理面，包括：通過(guò)電子回旋等離子氫或等離子氬清洗所述解理面。
[0008] 可選地，在所述解理面上形成鈍化層，包括：在700℃-1000℃的溫度下，通過(guò)分子束外延生長(zhǎng)技術(shù)在所述解理面上進(jìn)行鍍膜沉積，形成鈍化層。
[0009] 可選地，進(jìn)行鍍膜沉積的鍍膜材料為非氧化物鈍化材料，所述鈍化層的厚度為10-100nm。
[0010] 可選地，在在所述解理面上形成鈍化層的步驟之后，還包括：在所述鈍化層上形成鍍膜層。
[0011] 本發(fā)明第二方面提供一種半導(dǎo)體激光器，包括：半導(dǎo)體激光器芯片；鈍化層，通過(guò)如本發(fā)明第一方面提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法形成在所述激光器芯片的出光側(cè)。
[0012] 可選地，鈍化層的材料為非氧化物鈍化材料。
[0013] 可選地，半導(dǎo)體激光器還包括鍍膜層，形成在所述鈍化層上。
[0014] 本發(fā)明技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點(diǎn)：
[0015] 1.本發(fā)明提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片的表面進(jìn)行解理形成解理面后，通過(guò)電子回旋等離子體對(duì)解理面進(jìn)行清洗，然后在清洗后的解理面上鍍鈍化膜。電子回旋共振等離子體與霍爾離子源或者考夫曼離子源產(chǎn)生的等離子體相比，具有能量低、密度高的特點(diǎn)，因此通過(guò)電子回旋共振等離子體對(duì)解理面進(jìn)行清洗時(shí)，無(wú)需對(duì)激光器芯片進(jìn)行高溫加熱，從而避免了因溫度高導(dǎo)致的激光器芯片電極退化、效率降低的問題，并且由于電子回旋共振等離子體的能量低，對(duì)半導(dǎo)體激光器的解理面進(jìn)行正面轟擊也不會(huì)對(duì)解理面造成損傷。因此通過(guò)該半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法對(duì)半導(dǎo)體激光器加工，既可以抑制半導(dǎo)體激光器出光腔面的災(zāi)變式的光學(xué)損傷，也不會(huì)在鍍膜過(guò)程中對(duì)激光器造成電極退化、效率降低、解理面損傷等負(fù)面影響。
[0016] 2.本發(fā)明提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，對(duì)解理面進(jìn)行清洗前，只需將半導(dǎo)體激光器芯片加熱至50℃-200℃即可，避免了因溫度高導(dǎo)致的激光器芯片電極退化、效率降低的問題。
[0017] 3.本發(fā)明提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，通過(guò)電子回旋等離子氫或等離子氬對(duì)解理面進(jìn)行清洗，在清洗時(shí)等離子不會(huì)與激光器的半導(dǎo)體材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生不益產(chǎn)物。
[0018] 4.本發(fā)明提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，形成鈍化層時(shí)使用的鍍膜材料為非氧化物鈍化材料，該類材料可以直接進(jìn)行熱蒸發(fā)，無(wú)需通入其他氣體，避免通入的氣體對(duì)清洗后的材料造成二次污染。
[0019] 5.本發(fā)明提供的半導(dǎo)體激光器，包括激光器芯片和鈍化層，鈍化層通過(guò)本發(fā)明第一方面提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法形成，即，對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片的表面進(jìn)行解理形成解理面后，通過(guò)電子回旋等離子體對(duì)解理面進(jìn)行清洗，然后在清洗后的解理面上鍍鈍化膜。電子回旋共振等離子體與霍爾離子源或者考夫曼離子源產(chǎn)生的等離子體相比，具有能量低、密度高的特點(diǎn)，因此通過(guò)電子回旋共振等離子體對(duì)解理面進(jìn)行清洗時(shí)，無(wú)需對(duì)激光器芯片進(jìn)行高溫加熱，從而避免了因溫度高導(dǎo)致的激光器芯片電極退化、效率降低的問題，并且由于電子回旋共振等離子體的能量低，對(duì)半導(dǎo)體激光器的解理面進(jìn)行正面轟擊也不會(huì)對(duì)解理面造成損傷。因此通過(guò)該半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法對(duì)半導(dǎo)體激光器加工，既可以抑制半導(dǎo)體激光器出光腔面的災(zāi)變式的光學(xué)損傷，也不會(huì)在鍍膜過(guò)程中對(duì)激光器造成電極退化、效率降低、解理面損傷等負(fù)面影響。附圖說(shuō)明
[0020] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法的一個(gè)具體示例的流程圖(一)；
[0022] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法的一個(gè)具體示例的流程圖(二)；
[0023] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法的一個(gè)具體示例的流程圖(三)；
[0024] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器的一個(gè)具體結(jié)構(gòu)示意圖(一)；
[0025] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器的一個(gè)具體結(jié)構(gòu)示意圖(二)。

具體實(shí)施方式

[0026] 下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0027] 此外，下面所描述的本發(fā)明不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。
[0028] 實(shí)施例1
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，如圖1及圖4所示，包括：
[0030] 步驟S10：對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片1的表面進(jìn)行解理形成解理面2，對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片1進(jìn)行解理時(shí)，可以在大氣環(huán)境中進(jìn)行解理，但是作為優(yōu)選的實(shí)施例，對(duì)激光器芯片1進(jìn)行解理時(shí)優(yōu)選在充有惰性氣體的環(huán)境中進(jìn)行解理，例如可以在充氮環(huán)境中進(jìn)行解理，減少解理時(shí)與空氣接觸，減少，甚至避免解理面2產(chǎn)生氧化物。
[0031] 步驟S20：通過(guò)電子回旋等離子體清洗解理面2，電子回旋等離子體是通過(guò)高速電子與氣體分子的撞擊產(chǎn)生的高密度低能量等離子體，其能量為5-30eV，粒子流密度大于5ma/cm2，通過(guò)電子回旋等離子體對(duì)解理面2進(jìn)行清洗時(shí)持續(xù)時(shí)長(zhǎng)約為5-60min，具體時(shí)長(zhǎng)可以根據(jù)實(shí)際情況適當(dāng)調(diào)整。
[0032] 步驟S30：在解理面2上形成鈍化層3。通過(guò)在解理面2上形成鈍化層3可以將清洗后的解理面2與外界環(huán)境進(jìn)行隔離，避免外界環(huán)境使解理面2氧化。
[0033] 本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片1的表面進(jìn)行解理形成解理面2后，通過(guò)電子回旋等離子體對(duì)解理面2進(jìn)行清洗，然后在清洗后的解理面2上鍍鈍化膜?，F(xiàn)有技術(shù)中對(duì)解理面2進(jìn)行等離子清洗時(shí)，使用的等離子體為霍爾離子源或者考夫曼離子源產(chǎn)生的等離子體，電子回旋共振等離子體與霍爾離子源或者考夫曼離子源產(chǎn)生的等離子體相比，具有能量低、密度高的特點(diǎn)，因此通過(guò)電子回旋共振等離子體對(duì)解理面2進(jìn)行清洗時(shí)，無(wú)需對(duì)激光器芯片1進(jìn)行高溫加熱，從而避免了因溫度高導(dǎo)致的激光器芯片1電極退化、效率降低的問題，并且由于電子回旋共振等離子體的能量低，對(duì)半導(dǎo)體激光器的解理面2進(jìn)行正面轟擊也不會(huì)對(duì)解理面2造成損傷。因此通過(guò)該半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法對(duì)半導(dǎo)體激光器加工，既可以抑制半導(dǎo)體激光器出光腔面的災(zāi)變式的光學(xué)損傷，也不會(huì)在鍍膜過(guò)程中對(duì)激光器造成電極退化、效率降低、解理面2損傷等負(fù)面影響。
[0034] 在一可選實(shí)施例中，如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，在上述步驟S10之后，步驟S20之前，還包括：
[0035] 步驟S40：將解理后的半導(dǎo)體激光器芯片1放置在真空環(huán)境中，是為了避免在對(duì)解理面2進(jìn)行清洗的同時(shí)解理面2表面形成氧化物。實(shí)際應(yīng)用中，真空環(huán)境的真空度可以為1×10-2Torr左右。
[0036] 步驟S50：對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片1進(jìn)行加熱，加熱溫度為50℃-200℃，加熱時(shí)間為30min左右，具體的加熱時(shí)間和加熱溫度可以根據(jù)實(shí)際需求作適當(dāng)調(diào)整。在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)解理面2進(jìn)行清洗前要將激光器芯片1放置在300℃-500℃的高溫環(huán)境中進(jìn)行加熱，高溫環(huán)境會(huì)時(shí)激光器芯片1的電極產(chǎn)生二次退化，導(dǎo)致芯片1電壓增加，效率降低，而本申請(qǐng)中對(duì)激光器芯片1的加熱溫度為50℃-100℃，與現(xiàn)有技術(shù)相比溫度大大降低，避免了激光器芯片1電極退化、效率降低的問題。
[0037] 在一可選實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，在上述步驟S20中，通過(guò)電子回旋等離子氫或等離子氬清洗解理面2。
[0038] 通過(guò)電子回旋等離子氫或等離子氬對(duì)解理面2進(jìn)行清洗，在清洗時(shí)不會(huì)與激光器的半導(dǎo)體材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生不益產(chǎn)物。
[0039] 在一可選實(shí)施例中，在上述步驟S30中，在700℃-1000℃的溫度下，通過(guò)分子束外延生長(zhǎng)技術(shù)在解理面2上進(jìn)行鍍膜沉積，形成鈍化層3。
[0040] 本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，使用分子束外延生長(zhǎng)技術(shù)進(jìn)行膜料蒸發(fā)，在超高真空的環(huán)境下，使具有一定熱能的單層原子材料噴射到基底上，在本發(fā)明實(shí)施例中，鍍膜時(shí)的溫度為700℃-1000℃即可，而對(duì)于傳統(tǒng)鍍膜技術(shù)，源爐生長(zhǎng)溫度需達(dá)到1200℃-1500℃，因此在本發(fā)明實(shí)施例中，實(shí)現(xiàn)了鈍化層的低溫生長(zhǎng)，有效減少了互擴(kuò)散及自參雜的問題。
[0041] 在一可選實(shí)施例中，進(jìn)行鍍膜沉積的鍍膜材料為非氧化物鈍化材料，鈍化層3的厚度為10-100nm?，F(xiàn)有技術(shù)中，鍍膜沉積形成鈍化層3一般是采用AlON、SiAlON、Al2O3以及MgO、Ga2O3、TiO2、CrO2、BeO等氧化物鈍化材料，該類材料在鍍膜沉積時(shí)需要高溫加熱蒸發(fā)，而高溫會(huì)導(dǎo)致材料氧分離，造成含氧量偏低，鍍膜質(zhì)量差，所以需要在鍍膜過(guò)程中通入一定量的氧氣或者其他氣體以保證材料含氧量平衡，而氧氣會(huì)導(dǎo)致清洗后的解理面2再次氧化，降低激光器的可靠性，而非氧化物鈍化材料可以直接進(jìn)行熱蒸發(fā)，無(wú)需通入其他氣體，避免通入的氣體對(duì)清洗后的材料造成二次污染。具體的非氧化物鈍化材料可以根據(jù)半導(dǎo)體激光器的材料進(jìn)行選取，例如，對(duì)于GaAs基的半導(dǎo)體激光器，只要采用對(duì)波長(zhǎng)為600nm到1500nm的光的吸收率低的寬禁帶材料即可，例如可以是ZnSe、ZnS、Si3N4或CdS等。
[0042] 在一可選實(shí)施例中，本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法，如圖3及圖5所示，在上述步驟S30之后，還包括：
[0043] 步驟S60：在鈍化層3上形成鍍膜層4。鍍膜層4用于調(diào)節(jié)反射率，使用的材料可以為Al2O3、Ti3O5、Ta2O5或SiO2等。
[0044] 實(shí)施例2
[0045] 本發(fā)明實(shí)施例第二方面提供一種半導(dǎo)體激光器，如圖4所示，包括：
[0046] 半導(dǎo)體激光器芯片1；
[0047] 鈍化層3，鈍化層3形成在半導(dǎo)體激光器芯片1的出光側(cè)，在沉積鈍化層3前，需先對(duì)激光器芯片1進(jìn)行解理，形成解理面2，然后在解理面2上沉積鈍化膜3，形成鈍化層3的詳細(xì)步驟如上述實(shí)施例1中步驟S10-步驟S60。
[0048] 本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體激光器，包括激光器芯片1和鈍化層3，鈍化層3通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例1提供的半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法形成，即，對(duì)半導(dǎo)體激光器芯片1的表面進(jìn)行解理形成解理面2后，通過(guò)電子回旋等離子體對(duì)解理面2進(jìn)行清洗，然后在清洗后的解理面2上鍍鈍化膜3。電子回旋共振等離子體與霍爾離子源或者考夫曼離子源產(chǎn)生的等離子體相比，具有能量低、密度高的特點(diǎn)，因此通過(guò)電子回旋共振等離子體對(duì)解理面2進(jìn)行清洗時(shí)，無(wú)需對(duì)激光器芯片1進(jìn)行高溫加熱，從而避免了因溫度高導(dǎo)致的激光器芯片1電極退化、效率降低的問題，并且由于電子回旋共振等離子體的能量低，對(duì)半導(dǎo)體激光器的解理面2進(jìn)行正面轟擊也不會(huì)對(duì)解理面2造成損傷。因此通過(guò)該半導(dǎo)體激光器的鍍膜方法對(duì)半導(dǎo)體激光器加工，既可以抑制半導(dǎo)體激光器出光腔面的災(zāi)變式的光學(xué)損傷，也不會(huì)在鍍膜過(guò)程中對(duì)激光器造成電極退化、效率降低、解理面2損傷等負(fù)面影響。
[0049] 在一可選實(shí)施例中，鈍化層3的材料為非氧化物鈍化材料。
[0050] 在一可選實(shí)施例中，如圖5所示，還包括：
[0051] 鍍膜層4，形成在鈍化層上3，用于調(diào)節(jié)反射率，使用的材料為Al2O3、Ti3O5、Ta2O5或SiO2等
[0052] 顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。
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