白丝美女被狂躁免费视频网站,500av导航大全精品,yw.193.cnc爆乳尤物未满,97se亚洲综合色区,аⅴ天堂中文在线网官网

首頁 / 專利庫 / 微電子學(xué) / 光刻膠 / 框中框重疊標(biāo)記

框中框重疊標(biāo)記

閱讀：0發(fā)布：2021-08-30

專利匯可以提供框中框重疊標(biāo)記專利檢索，專利查詢，專利分析的服務(wù)。并且本 發(fā)明 提供一種框中框重疊標(biāo)記，所述框中框重疊標(biāo)記包括內(nèi)框區(qū)、圍繞內(nèi)框區(qū)的外框區(qū)、位于內(nèi)框區(qū)和外框區(qū)中的前層之中的密集的窄溝槽、在內(nèi)框區(qū)中的密集窄溝槽上方定義出矩形的X向和Y向條狀 光刻 膠 圖形，以及在外框區(qū)中定義出另一矩形的X向和Y向條狀圖形；至少內(nèi)框區(qū)中的密集窄溝槽指向不同于X向或Y向的方向；條狀光刻膠圖形定義于用以定義當(dāng)層的光刻膠層中或定義自所述光刻膠層，且各條狀光刻膠圖形比各窄溝槽寬；條狀圖形定義于前層中或定義自前層，且各條狀圖形比各窄溝槽寬。，下面是框中框重疊標(biāo)記專利的具體信息內(nèi)容。

1.一種框中框重疊標(biāo)記，其特征在于，包括：
內(nèi)框區(qū)和圍繞所述內(nèi)框區(qū)的外框區(qū)；
密集的多條窄溝槽，在所述內(nèi)框區(qū)和所述外框區(qū)中的前層之中，其中至少所述內(nèi)框區(qū)中的所述窄溝槽指向不同于X向和Y向的方向；
多數(shù)個(gè)X向和多數(shù)個(gè)Y向的條狀光刻膠圖形，其在所述內(nèi)框區(qū)中的所述窄溝槽上方定義出矩形，其中所述條狀光刻膠圖形定義于用以定義當(dāng)層的光刻膠層中或定義自所述光刻膠層，且各所述條狀光刻膠圖形比各所述窄溝槽寬；以及
多數(shù)個(gè)X向和多數(shù)個(gè)Y向的條狀圖形，其在所述外框區(qū)中定義出另一矩形，其中所述條狀圖形定義于所述前層之中或定義自所述前層，且各所述條狀圖形比各所述窄溝槽寬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框中框重疊標(biāo)記，其特征在于，所述內(nèi)框區(qū)中的所述窄溝槽所指向的所述方向偏離X向或Y向至少20°角。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的框中框重疊標(biāo)記，其特征在于，所述內(nèi)框區(qū)中的所述窄溝槽所指向的所述方向與X向或Y向夾45°角。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框中框重疊標(biāo)記，其特征在于，所述外框區(qū)中的所述窄溝槽也指向所述內(nèi)框區(qū)中的所述窄溝槽所指向的所述方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框中框重疊標(biāo)記，其特征在于，各所述窄溝槽的寬度在30～
100納米的范圍內(nèi)，各所述條狀光刻膠圖形的寬度在100至1000納米的范圍內(nèi)，且在外框區(qū)中的各所述條狀圖形的寬度在100至1000納米的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框中框重疊標(biāo)記，其特征在于，所述內(nèi)框區(qū)中的所述條狀光刻膠圖形為溝槽圖形，所述溝槽圖形被定義在用以定義所述當(dāng)層的所述光刻膠層中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框中框重疊標(biāo)記，其特征在于，所述內(nèi)框區(qū)中的所述條狀光刻膠圖形為光刻膠條，所述光刻膠條定義自用以定義所述當(dāng)層的所述光刻膠層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框中框重疊標(biāo)記，其特征在于，所述外框區(qū)中的所述條狀圖形為被定義在所述前層中的溝槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的框中框重疊標(biāo)記，其特征在于，所述外框區(qū)中的所述條狀圖形包括定義自所述前層的實(shí)線圖形。

說明書全文

框中框重疊標(biāo)記

技術(shù)領(lǐng)域

[0001] 本發(fā)明是關(guān)于一種集成電路工藝，特別是關(guān)于一種在集成電路工藝中用于重疊測(cè)量的框中框（box-in-box,BiB）重疊標(biāo)記。

背景技術(shù)

[0002] 用于重疊測(cè)量的重疊標(biāo)記有許多不同的設(shè)計(jì)。代表性的設(shè)計(jì)為框中框設(shè)計(jì)，其基本上包括內(nèi)框（inner?box）及外框（outer?box），其中內(nèi)框包括用以定義當(dāng)層（current?layer）的光刻膠層（photoresist?layer）的X向和Y向條狀圖形，外框包括前層的X向和Y向條狀圖形。前層可被定義以在其中形成溝槽（trenches）、開口（openings），或被定義為線/塊狀圖形。光刻膠層可被定義以在其中形成溝槽、開口，或被定義為線/塊狀圖形。
[0003] 在條狀圖形轉(zhuǎn)移至襯底后進(jìn)行金屬工藝，可能會(huì)引發(fā)缺陷率（defectivity）的問題。因此，已建立一種設(shè)計(jì)規(guī)則以限制允許存在于一些金屬工藝之前的最大溝槽尺寸。
[0004] 然而，對(duì)某些工藝，此設(shè)計(jì)規(guī)則可能有問題。一例為如何將削減掩模（chop?mask）應(yīng)用在間距減少層上，以用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic?Random?Access?Memory，DRAM）的字線工藝。外框由氧化間隙壁定義，但并未轉(zhuǎn)移至襯底。在外框上的削減層（chop?layer）可具有光刻膠，故外框永遠(yuǎn)不會(huì)被轉(zhuǎn)移至襯底且不必?fù)?dān)心外框。問題來自當(dāng)層（削減層、光刻膠），溝槽必須形成于其中以作為重疊測(cè)量用的內(nèi)層。受光刻機(jī)臺(tái)及量測(cè)機(jī)臺(tái)分辨率的限制，溝槽的尺寸可能必須超過由設(shè)計(jì)規(guī)則定義的限制。解決方法之一為在前層中加入密集且平行的窄溝槽，此窄溝槽位于內(nèi)框的光刻膠圖形之下。
[0005] 圖1A～1C示出前述一種BiB重疊標(biāo)記的一例，其中，圖1A示出一種傳統(tǒng)BiB重疊標(biāo)記的上視圖，圖1B與圖1C分別示出圖1A所示的傳統(tǒng)BiB重疊標(biāo)記的B-B’剖面圖及C-C’剖面圖。
[0006] 框中框重疊標(biāo)記10包括在前層中密集且平行的窄線/溝槽圖形110，密集平行窄線/溝槽圖形110包括在全區(qū)（內(nèi)框和外框區(qū)）中指向X向或Y向的交替排列的線圖形110a與溝槽圖形110b；在前層中構(gòu)成外框的X向和Y向?qū)挏喜?12；以及定義在用以定義當(dāng)層的光刻膠層120中而構(gòu)成內(nèi)框的X向和Y向?qū)挏喜?22。
[0007] 然而，在此設(shè)計(jì)中，由于不完全對(duì)準(zhǔn)及/或切到最近的線圖形110a，與線圖形110a/溝槽圖形110b平行的內(nèi)框中各寬溝槽122的兩側(cè)壁可能將會(huì)受到來自線圖形110a的不同光學(xué)影響，使寬溝槽122的位置判定準(zhǔn)確性受到不利影響而降低重疊測(cè)量的準(zhǔn)確性。

發(fā)明內(nèi)容

[0008] 因此，本發(fā)明提供一種框中框（BiB）重疊標(biāo)記，其具有經(jīng)修改的密集線/溝槽排列，以同時(shí)解決上述設(shè)計(jì)規(guī)則的問題，并提升重疊測(cè)量的準(zhǔn)確性。
[0009] 本發(fā)明的框中框重疊標(biāo)記包括內(nèi)框區(qū)、圍繞內(nèi)框區(qū)的外框區(qū)、位于內(nèi)框區(qū)和外框區(qū)中的前層中的密集的窄溝槽、在內(nèi)框區(qū)中的密集窄溝槽上方定義出一矩形的多個(gè)X向和多個(gè)Y向的條狀光刻膠圖形，以及在外框區(qū)中定義出另一矩形的多個(gè)X向和多個(gè)Y向的條狀圖形；至少內(nèi)框區(qū)中的密集窄溝槽指向不同于X向或Y向的一方向；條狀光刻膠圖形被定義在用以定義當(dāng)層的光刻膠層中或定義自所述光刻膠層，且各條狀光刻膠圖形比各窄溝槽寬；條狀圖形被定義于前層中或定義自前層，且各條狀圖形比各窄溝槽寬。
[0010] 在一實(shí)施例中，內(nèi)框區(qū)中的密集窄溝槽指向偏離X向或Y向至少20°角的方向，例如是與X向或Y向夾約45°角的方向。
[0011] 在一實(shí)施例中，外框區(qū)中的窄溝槽也指向內(nèi)框區(qū)中的窄溝槽所指向的方向。
[0012] 在一實(shí)施例中，各窄溝槽的寬度在30～100納米的范圍內(nèi)，各條狀光刻膠圖形的寬度在100至1000納米的范圍內(nèi)，且在外框區(qū)中的各條狀圖形的寬度在100至1000納米的范圍內(nèi)。
[0013] 在一實(shí)施例中，內(nèi)框區(qū)中的條狀光刻膠圖形為溝槽圖形，其被定義在用以定義所述當(dāng)層的光刻膠層中。在另一實(shí)施例中，內(nèi)框區(qū)中的條狀光刻膠圖形為定義自用以定義當(dāng)層的光刻膠層的光刻膠條。
[0014] 在一實(shí)施例中，外框區(qū)中的條狀圖形為定義在前層中的溝槽。另一實(shí)施例中，所述條狀圖形包括定義自前層的實(shí)線圖形。
[0015] 由于內(nèi)框區(qū)中前層中的密集窄線/溝槽圖形指向不同于X或Y向的方向，各X或Y向光刻膠圖形不平行于內(nèi)框區(qū)中的窄線/溝槽圖形。因此，作為內(nèi)框的條狀光刻膠圖形的位置判定不會(huì)受到內(nèi)框區(qū)的窄線/溝槽圖形的不利影響，故可提升重疊測(cè)量的準(zhǔn)確性。
[0016] 為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例并配合所附附圖，詳細(xì)說明如下。

附圖說明

[0017] 圖1A示出一種傳統(tǒng)BiB重疊標(biāo)記的上視圖；
[0018] 圖1B與圖1C分別示出圖1A所示的傳統(tǒng)BiB重疊標(biāo)記的B-B’剖面圖及C-C’剖面圖；
[0019] 圖2A為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所示出的一種BiB重疊標(biāo)記；
[0020] 圖2B與圖2C分別示出圖2A所示的BiB重疊標(biāo)記的B-B’剖面圖及C-C’剖面圖。
[0021] 附圖標(biāo)記說明：
[0022] 10、20：框中框重疊標(biāo)記；
[0023] 22i：內(nèi)框區(qū)；
[0024] 22o：外框區(qū)；
[0025] 110：窄線/溝槽圖形；
[0026] 110a：線圖形；
[0027] 110b：溝槽圖形；
[0028] 112、122：寬溝槽；
[0029] 120、220：光刻膠層；
[0030] 210、210i、210o：密集窄線/溝槽圖形；
[0031] 210a、210c：窄線圖形；
[0032] 210b、210d：窄溝槽圖形；
[0033] 212x、222x：X向溝槽；
[0034] 212y、222y：Y向溝槽；
[0035] Pi、Po：間距；
[0036] Wi、Wo：寬度；
[0037] θ：角度。

具體實(shí)施方式

[0038] 以下將基于實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明，但其不限制本發(fā)明的范圍。舉例而言，雖然在實(shí)施例中的BiB重疊標(biāo)記的內(nèi)框的各邊只有一個(gè)條狀光刻膠圖形，但若有需要，在內(nèi)框的各邊可以有兩個(gè)或更多個(gè)條狀光刻膠圖形。
[0039] 圖2A為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所示出的一種BiB重疊標(biāo)記。圖2B與圖2C分別示出圖2A所示的BiB重疊標(biāo)記的B-B’剖面圖及C-C’剖面圖。
[0040] 請(qǐng)參照?qǐng)D2A至圖2C，框中框重疊標(biāo)記20包括內(nèi)框區(qū)22i、圍繞內(nèi)框區(qū)22i的外框區(qū)22o、在內(nèi)框區(qū)22i及外框區(qū)22o中的前層之中的密集窄線/溝槽圖形210、在內(nèi)框區(qū)22i中的密集窄線/溝槽圖形210i上方定義出一矩形的兩個(gè)X向溝槽222x及兩個(gè)Y向溝槽222y，以及在外框區(qū)22o中定義出另一矩形的兩個(gè)X向溝槽212x及兩個(gè)Y向溝槽212y。至少內(nèi)框區(qū)22i中的密集窄線/溝槽圖形210i指向不同于X向或Y向的一方向。圖中密集窄線/溝槽圖形210i的指向與X向之間的角度為“角度θ”。X向溝槽222x與Y向溝槽222y被定義于用以定義當(dāng)層的光刻膠層220中，各X向溝槽222x或各Y向溝槽222y比各密集窄線/溝槽圖形210i寬。X向溝槽
212x與Y向溝槽212y被定義在前層之中，各X向溝槽212x或各Y向溝槽212y比各密集窄線/溝槽圖形210o寬。
[0041] 內(nèi)框區(qū)22i中的密集窄線/溝槽圖形210i包括交替排列的窄線圖形210a及窄溝槽圖形210b。外框區(qū)22o中的密集窄線/溝槽圖形210o包括交替排列的窄線圖形210c及窄溝槽圖形210d。內(nèi)框區(qū)22i中的密集窄線/溝槽圖形210i的尺寸（dimension）只受前層工藝限制，且其不須符合密集窄線/溝槽圖形210o的尺寸。特別是當(dāng)指向不同時(shí)，密集窄線/溝槽圖形210i在X向或Y向上的尺寸與密集窄線/溝槽圖形210o在X向或Y向上的尺寸很有可能不同。
[0042] 在一較佳實(shí)施例中，內(nèi)框區(qū)22i中的密集窄線/溝槽圖形210i指向偏離X向或Y向至少20°角的方向，例如是與X向或Y向夾約45°的方向(角度θ=45°)，如圖2A所示。
[0043] 外框區(qū)22o中的密集窄線/溝槽圖形210o可指向任何方向，但通常在X向或Y向以符合元件區(qū)中的實(shí)際圖形。
[0044] 在一示例性實(shí)施例中，各窄線圖形210a、各窄線圖形210c、各窄溝槽圖形210b、各窄溝槽圖形210d的寬度在30～100納米的范圍內(nèi)。相應(yīng)地，密集的窄線圖形210a或窄線圖形210c沿其垂直方向具有60～200納米的間距Pi，且密集的窄溝槽圖形210b或窄溝槽圖形
210d沿其垂直方向具有60～200納米的間距Po。此外，內(nèi)框區(qū)22i中各X向溝槽222x或各Y向溝槽222y的寬度Wi在100～1000納米的范圍內(nèi)，且外框區(qū)22o中各X向溝槽212x或各Y向溝槽
212y的寬度Wo在100～1000納米的范圍內(nèi)。
[0045] 此外，雖然在上述實(shí)施例中，X向及Y向條狀光刻膠圖形為被定義在用以定義當(dāng)層的光刻膠層220中的X向溝槽222x與Y向溝槽222y，在光刻膠層覆蓋外框圖形的前提下，條狀光刻膠圖形也可改為由用以定義當(dāng)層的光刻膠層所形成的寬實(shí)線圖形。
[0046] 另一方面，雖然上述實(shí)施例中的外框區(qū)22o中的X向及Y向條狀圖形為形成在前層中的溝槽圖形，條狀圖形也可改包括定義自前層的實(shí)線圖形。
[0047] 因?yàn)樵趦?nèi)框區(qū)中，前層的密集窄線/溝槽圖形指向不同于X向和Y向的方向，各X或Y向的光刻膠條不平行于內(nèi)框區(qū)的密集窄線/溝槽圖形。因此，作為內(nèi)框的光刻膠條的位置判定不會(huì)受到內(nèi)框區(qū)中窄線/溝槽圖形的不利影響，故可提升重疊測(cè)量的準(zhǔn)確性。
[0048] 最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
高效檢索全球?qū)＠?/div>

專利匯是專利免費(fèi)檢索,專利查詢,專利分析-國家發(fā)明專利查詢檢索分析平臺(tái)，是提供專利分析，專利查詢，專利檢索等數(shù)據(jù)服務(wù)功能的知識(shí)產(chǎn)權(quán)數(shù)據(jù)服務(wù)商。

我們的產(chǎn)品包含105個(gè)國家的1.26億組數(shù)據(jù)，免費(fèi)查、免費(fèi)專利分析。

申請(qǐng)?jiān)囉?/a>

QQ群二維碼
意見反饋