一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制造方法
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專利匯可以提供一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制造方法專利檢索，專利查詢，專利分析的服務。并且本 發(fā)明 公開了一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，所述頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的 陰極 層上 鍍 覆有 覆蓋 層 ，其中，所述覆蓋層為在 波長 450nm至650nm范圍內(nèi)折射率大于1.8， 能隙 Eg大于3.0eV的有機材料。本發(fā)明還公開了頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法。本發(fā)明的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件能夠保證陰極的透光率，同時可避免顯示屏隨視 角 發(fā)生變化。，下面是一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制造方法專利的具體信息內(nèi)容。
1.一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的陰極層上鍍覆有覆蓋層，
所述覆蓋層為在波長450nm至650nm范圍內(nèi)折射率大于1.8，能隙Eg大于3.0eV的有機材料；
其中，所述覆蓋層為具有式2結(jié)構(gòu)的有機材料，
式2
式2中，A和B分別獨立地選自苯基、萘基或苯胺基，R1和R2、R1’和R2’分別獨立地選自芳基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，
式2中，R1和R2、R1’和R2’分別獨立地選自碳原子數(shù)為6至30的芳基。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述具有式2結(jié)構(gòu)的有機材料為如下化合物：
式?2-1
式2-2
式2-3
式2-4
式2-5。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括：基板，和在基板上依次鍍覆形成的反射層、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和所述覆蓋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極層為銀或銀合金，厚度為15~25nm；所述覆蓋層厚度為30~70nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，陰極層為銀或銀合金，厚度為15~18nm；所述覆蓋層厚度為30~70nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，陰極層為銀或銀合金，厚度18~25nm；所述覆蓋層厚度為30~50nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銀合金為重量比1:10~10:1的銀鎂合金或者重量比1:10-10:1的銀鋰合金。
9.權(quán)利要求1~8任一項所述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制造方法，其特征在于，通過物理氣相沉積方法或化學氣相沉積方法在基板上制備反射層和陽極層，然后通過熱蒸發(fā)方式依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和覆蓋層。
一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光器件領(lǐng)域，涉及一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件及其制造方法。
背景技術(shù)
[0002] 有機發(fā)光二極管，又稱有機電致發(fā)光器件(OLED)按照出光方式分為底發(fā)射有機電致發(fā)光器件和頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件。底發(fā)射有機電致發(fā)光器件(BEOLED)，其透明陽極銦錫氧化物ITO(或銦鋅氧化物IZO)通過濺射的方式生長在玻璃襯底上，器件內(nèi)部發(fā)出的光相繼經(jīng)過ITO(或IZO)、玻璃襯底射出。采用這種方式制作的顯示屏由于驅(qū)動電路和顯示區(qū)域要同時制作在玻璃上面，導致顯示區(qū)域面積相對減小，顯示屏的開口率降低。與普通的底發(fā)射器件相比，頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件(TEOLED)由于其本身的結(jié)構(gòu)特點，光可以從頂部電極射出，在有源驅(qū)動OLED中,像素驅(qū)動電路、總線等可以制作在顯示區(qū)域的下方，從而避免了驅(qū)動電路與顯示區(qū)域互相競爭的問題，使得器件的開口率大大提高。頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件還可以制作在硅基襯底上，從而可制成硅上微顯示器。由于頂發(fā)射器件制作的顯示屏還具有分辨率高、信息含量高等優(yōu)點，這都使得頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件近兩年來受到越來越多人的關(guān)注，并成為一個研究熱點。
[0003] 在頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件中,一般使用透明的ITO(或IZO)或者半透明的金屬作為頂部陰極。由于制作ITO(或IZO)需要用到濺射的方法,高能ITO(或IZO)粒子對于底層的有機層破壞性很強,因此更好的替代方案是采用半透明的金屬來替代ITO(或IZO)作為頂部陰極。其優(yōu)點是容易生長、破壞性??；缺點是金屬的透光性比較差，不利于光的耦合輸出，微腔效應較為明顯，在顯示器的應用上，發(fā)光強度和顏色隨視角的改變是最大的缺點。因此我們需要在半透明的金屬層上制備一層覆蓋層，減少光能在光學元件表面的反射，增加透射光的光通量。同樣，在頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的金屬陰極表面引入覆蓋層可以改變光的反射和透射能量的分布。常規(guī)使用的覆蓋層為高溫無機材料，通常采用濺射方法或化學氣相沉積方法制備。但這些方式都會對有機膜層造成傷害。
[0004] 三星專利101944570中使用了三胺衍生物、亞芳基二胺衍生物、CBP、Alq3作為有機覆蓋層以增加出射光的效率，并限定該有機層的厚度為30nm-90nm。該方案雖然獲得了最大的出射光強度，但未考慮由于微腔效應導致的視角變化。
發(fā)明內(nèi)容
[0007] 優(yōu)選地，所述覆蓋層為具有式1結(jié)構(gòu)的有機材料或具有式2結(jié)構(gòu)的有機材料，[0008]
[0009] 式1
[0010] 式1中，R1-R4、R5-R8、R5’-R8’分別獨立地選自氫元素、鹵族元素、CN、NO2、氨基、亞稠環(huán)芳基、亞稠雜環(huán)芳基、烷基或醇基；A和B分別獨立地選自苯基、萘基或苯胺基；R9、R10、R9’和R10’分別獨立地選自芳基；
[0011]
[0012] 式2
[0013] 式2中，A和B分別獨立地選自苯基、萘基或苯胺基，R1和R2、R1’和R2’分別獨立地選自芳基。
[0014] 優(yōu)選地，式1中，所述亞稠環(huán)芳基為碳原子數(shù)為6至30的亞稠環(huán)芳基，所述亞稠雜環(huán)芳基為碳原子數(shù)為6至30的亞稠雜環(huán)芳基，所述烷基為碳原子數(shù)為6至20的烷基，所述醇基為碳原子數(shù)為6至30的醇基，R9、R10、R9’和R10’分別獨立地選自碳原子數(shù)為6至30的芳基。式2中，R1和R2、R1’和R2’分別獨立地選自碳原子數(shù)為6至30的芳基。
[0015] 優(yōu)選地，所述具有式1結(jié)構(gòu)的有機材料為如下化合物：
[0016]
[0017] 式1-1
[0018]
[0019] 式1-2
[0020]
[0021] 式1-3
[0022]
[0023] 式1-4
[0024]
[0025] 式1-5
[0026] 優(yōu)選地，所述具有式2結(jié)構(gòu)的有機材料為如下化合物：
[0027]
[0028] 式2-1
[0029]
[0030] 式2-2
[0031]
[0032] 式2-3
[0033]
[0034] 式2-4
[0035]
[0036] 式2-5
[0037] 優(yōu)選地，上述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，包括：基板，和在基板上依次鍍覆形成的反射層、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和所述覆蓋層。
[0039] 更優(yōu)選地，陰極層為銀或銀合金，厚度為15~18nm；覆蓋層，厚度為30~70nm。
[0040] 更優(yōu)選地，陰極層為銀或銀合金，厚度18~25nm；覆蓋層，厚度為30~50nm。
[0041] 其中，所述銀合金為重量比1:10~10:1的銀鎂合金或者重量比1:10-10:1的銀鋰合金。
[0042] 本發(fā)明提供上述的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制造方法，通過物理氣相沉積方法或化學氣相沉積方法在基板上制備反射層和陽極層，然后通過熱蒸發(fā)方式依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和覆蓋層。
[0044] 圖1本發(fā)明的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0045] 圖2本發(fā)明覆蓋層的有機材料的折射率隨波長變化示意圖。
[0046] 附圖標記說明：
[0047] 基板1；反射層2；陽極層3；空穴注入層4；空穴傳輸層5；發(fā)光層6；電子傳輸層7；電子注入層8；陰極層9；覆蓋層10。
具體實施方式
[0048] 下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以更好的理解本發(fā)明并能予以實施，但所舉實施例不作為對本發(fā)明的限定。
[0049] 本發(fā)明提供一種頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，能夠改善頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件視角。
[0050] 如圖1所示，頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)包括：基板1，和在基板1上依次鍍覆形成的反射層2、陽極層3、空穴注入層(HIL)4、空穴傳輸層(HTL)5、發(fā)光層（EML）6、電子傳輸層（ETL）7、電子注入層（EIL）8、陰極層9和覆蓋層10。
[0051] 其中，基板1為玻璃或聚合物（塑料或聚酰亞胺等）。
[0053] 陽極層3可為ITO（氧化銦錫）、IZO（氧化銦鋅）。
[0054] 空穴注入層4為4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺（MTDATA）和2,3,5,6-四氟四氰基奎二甲烷（F4TCNQ）的混合物，兩者的質(zhì)量比例為25:1，MTDATA和F4TCNQ的分子結(jié)構(gòu)式如下：
[0055]
[0056] 空穴傳輸層5為N,N’-二-（1-萘基）-N,N’-二苯基-1，1’-聯(lián)苯基-4，4’-二胺(NPB)，其分子結(jié)構(gòu)式為
[0057]
[0058] 發(fā)光層6可以是紅光、綠光或藍光。其中，
[0059] 紅光的主體RH為Bebq（2 雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹）、染料RD為Ir(piq)2(acac)，分子結(jié)構(gòu)式分別為：
[0060]
[0061] 綠光的主體GH為CBP（4,4’-Bis(9H-carbazol-9-yl)biphenyl）、染料GD為Ir(ppy)3，分子結(jié)構(gòu)式分別為：
[0062]
[0063] 藍光主體BH為AND（9,10-Di(naphtha-2-yl)anthracene）、染料BD為DPAVB（4-(di-p-tolylamino)-4’-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene），分子結(jié)構(gòu)式分別為：
[0064]
[0065] 電子傳輸層7為Bphen，其分子結(jié)構(gòu)式為：
[0066]
[0067] 在具體實施過程中，可以利用如下公式（1），使得有機層中各層（包括HIL層、HTL層、發(fā)光層和ETL層）和陽極層的厚度滿足：
[0068]
[0069] 其中，λ為發(fā)光光譜的峰值，Φ1為反射層的相位角，Φ2是陰極的相位角，dm是有機層中各層和ITO層（即反射層和透明陰極之間各層）的厚度（總厚度d=Σdm），nm為各層相應的折射率，θ0是各層相應的出射光角度，k為常數(shù)。
[0071] 陰極層9可為Ag、銀鎂合金（Mg:Ag重量比=1:10~10:1）、銀鋰合金（Li:Ag重量比=1:10~10:1），陰極層厚度為15nm-25nm。
[0072] 覆蓋層10為在波長450nm至650nm范圍內(nèi)折射率大于1.8，能隙Eg大于3.0eV的有機材料。
[0073] 對于頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件，既要獲得高效率又要獲得好的視角，首先需要覆蓋層材料具有恰當?shù)恼凵渎屎瓦m當?shù)哪芟?，要求其折射率在可見光波長范圍內(nèi)（450nm-650nm）大于1.8，以增加陰極的透光率；能隙Eg>3.0eV，以保證即使深藍色光通過覆蓋層也不會有光吸收現(xiàn)象出現(xiàn)。在450nm至650nm的光波段，特別是波長大于600nm的紅光波段，有機材料的折射率只有1.7左右。而一些折射率較高的有機材料由于具有較大的共軛體系，因此其能帶寬度小于3.0eV，有可能吸收OLED出射的藍色光。
[0074] 經(jīng)測定具有式1結(jié)構(gòu)的有機材料和具有式2結(jié)構(gòu)的有機材料在450nm-650nm范圍內(nèi)的折射率大于1.8，如圖2為式1-1化合物和式2-1化合物的折射率隨波長變化的示意圖。具有式1結(jié)構(gòu)的有機材料和具有式2結(jié)構(gòu)的有機材料能級采用循環(huán)伏安法測試，分別為3.0eV-3.3eV和3.15eV-3.45eV。
[0075] 覆蓋層10可選用具有式1分子結(jié)構(gòu)的有機材料：
[0076]
[0077] 式1
[0078] 式1中，R1-R4、R5-R8、R5’-R8’分別獨立地選自氫元素、鹵族元素、-CN、-NO2、氨基、亞稠環(huán)芳基、亞稠雜環(huán)芳基、烷基和醇基，所述亞稠環(huán)芳基優(yōu)選為碳原子數(shù)為6至30的亞稠環(huán)芳基，所述亞稠雜環(huán)芳基優(yōu)選為碳原子數(shù)為6至30的亞稠雜環(huán)芳基，所述烷基優(yōu)選為碳原子數(shù)為6至20的烷基，所述醇基優(yōu)選為碳原子數(shù)為6至30的醇基。A和B分別選自苯基、萘基和苯胺基。R9、R10、R9’和R10’分別獨立地選自芳基，優(yōu)選為碳原子數(shù)為6至30的芳基。具有式1結(jié)構(gòu)的有機材料可為：
[0079]
[0080] 式1-1
[0081]
[0082] 式1-2
[0083]
[0084] 式1-3
[0085]
[0086] 式1-4
[0087]
[0088] 式1-5
[0089] 式1-1~式1-5化合物可按照US6586120公開的方式制備。
[0090] 覆蓋層也可為具有式2結(jié)構(gòu)的有機材料：
[0091]
[0092] 式2
[0093] 其中，A和B分別獨立地選自苯基、萘基和苯胺基。R1和R2、R1’和R2’分別獨立地選自芳基，優(yōu)選碳原子數(shù)為6至30的芳基。
[0094] 具有式2結(jié)構(gòu)的有機材料可為：
[0095]
[0096] 式2-1
[0097]
[0098] 式2-2
[0099]
[0100] 式2-3
[0101]
[0102] 式2-4
[0103]
[0104] 式2-5
[0105] 式2-1~2-5化合物的制備方法如下：
[0106]
[0107] 在氮氣保護下，將7 .4克二（鄰溴苯基）二甲基硅烷（合成方法參見J.Organomet.Chem.1984,271,319-326）（20mmol）加入到500ml三口瓶中，加入150ml無水乙醚溶解。將反應體系冷卻到-80℃，緩慢滴加1.5M叔丁基鋰（59ml，88mmol），在滴加過程中保持反應混合液在-80℃，滴加完畢，繼續(xù)在此溫度下攪拌1小時。然后加入3.65g二苯甲酮（20mmol），在低溫下攪拌30分鐘，然后撤去冷浴，使反應體系自然升溫到室溫，并在室溫下繼續(xù)攪拌3小時。加入飽和氯化銨溶液淬滅反應，產(chǎn)物用乙酸乙酯萃取，有機相用無水硫酸鎂干燥。產(chǎn)品經(jīng)柱色譜分離得到白色固體II4.67g，收率67%。
[0108] 將上步得到的4.67克白色固體（12.4mmol）溶于10ml干燥的二氯甲烷，用冰水浴冷卻反應體系到0-5℃，緩慢滴加液溴（4.4g，27mmol），滴加完全后升到室溫，并繼續(xù)攪拌5小時，TLC監(jiān)測原料消失。加入亞硫酸氫鈉水溶液淬滅反應并除去過量的溴。后處理并經(jīng)硅膠柱色譜分離得到白色固體III4.92g，收率83%。
[0109] 將上述4.92g二溴代物（10.3mmol）在氮氣保護下加入到250ml三口瓶中，加入100ml無水乙醚與THF的1:1混合物，將體系用冷浴冷卻到-80℃，緩慢滴加1.5M叔丁基鋰（30ml，45mmol），在滴加過程中保持溫度不變，滴加完全后，繼續(xù)在此溫度下攪拌1小時。然后加入3.4g二(4-溴苯基)甲酮（10mmol），繼續(xù)保持在此溫度下30分鐘，然后撤去冷浴，使反應體系自然升溫到室溫，并在室溫下繼續(xù)攪拌4小時。加入飽和氯化銨溶液淬滅反應，產(chǎn)物用乙酸乙酯萃取，有機相用無水硫酸鎂干燥。產(chǎn)品經(jīng)柱色譜分離得到白色固體IV?3.6g，收率56%。
[0110]
[0111] 在N2保護下，向裝有磁力攪拌的250ml三口瓶中依次加入150ml甲苯,6.4g?9,9-二(對溴苯基)-10,10-二苯基二氫蒽IV(10mmol)、6.1g苯基-(4-聯(lián)苯基)胺(25mmol)，在攪拌下，加入2.9g叔丁醇鈉(30mmol)，不能完全溶解，再加入86mg?Pd(dba)2(0.15mmol)，顏色變深，再加入0.6g?10%三叔丁基膦正己烷溶液(0.3mmol)，加熱回流，反應液變成黃綠色，回流5小時后點板，基本無原料，降溫至45℃以下時，加入5ml濃鹽酸和100ml水的混合溶液，分液，水相用150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗產(chǎn)品，粗產(chǎn)品經(jīng)石油醚/乙酸乙酯（體積比5：1）體系柱層析分離得到白色固體7.1g，即為式2-1化合物，收率73%。
[0112] 產(chǎn)物MS（m/e）：970，元素分析（C74H54N2）：理論值C：91.51％，H：5.60％，N：2.88％；實測值C：91.38%，H：5.55％，N：2.72％。
[0113]
[0114] 在N2保護下，向裝有磁力攪拌的250ml三口瓶中依次加入150ml甲苯,6.4g?9,9-二(對溴苯基)-10,10-二苯基二氫蒽IV(10mmol)、8.0g二（4-聯(lián)苯基）胺(25mmol)，在攪拌下，加入2.9g叔丁醇鈉(30mmol)，不能完全溶解，再加入86mg?Pd(dba)2(0.15mmol)，顏色變深，再加入0.6g?10%三叔丁基膦正己烷溶液(0.3mmol)，加熱回流，反應液變成綠色，回流5小時后點板，基本無原料，降溫至45℃以下時，加入5ml濃鹽酸和100ml水的混合溶液，分液，水相用150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗產(chǎn)品，粗產(chǎn)品經(jīng)石油醚/乙酸乙酯（體積比6：1）體系柱層析分離得到白色固體7.75g，即為式2-2化合物，收率69%。
[0115] 產(chǎn)物MS（m/e）：1122，元素分析（C86H62N2）：理論值C：91.94％，H：5.56％，N：2.49％；實測值C：91.79%，H：5.63％，N：2.31％。
[0116]
[0117] 在N2保護下，向裝有磁力攪拌的250ml三口瓶中依次加入150ml甲苯,6.4g?9,9-二(對溴苯基)-10,10-二苯基二氫蒽IV(10mmol)、4.3g二苯基胺(25mmol)，在攪拌下，加入2.9g叔丁醇鈉(30mmol)，不能完全溶解，再加入86mg?Pd(dba)2(0.15mmol)，顏色變深，再加入0.6g?10%三叔丁基膦正己烷溶液(0.3mmol)，加熱回流，反應液變成綠色，回流5小時后點板，基本無原料，降溫至45℃以下時，加入5ml濃鹽酸和100ml水的混合溶液，分液，水相用
150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗產(chǎn)品，粗產(chǎn)品經(jīng)石油醚/乙酸乙酯（體積比6：1）體系柱層析分離得到白色固體6.6g，即為式2-3化合物，收率81%。
150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗產(chǎn)品，粗產(chǎn)品經(jīng)石油醚/乙酸乙酯（體積比6：1）體系柱層析分離得到白色固體6.6g，即為式2-3化合物，收率81%。
[0118] 產(chǎn)物MS（m/e）：818，元素分析（C62H46N2）：理論值C：90.92％，H：5.66％，N：3.42％；實測值C：90.84%，H：5.60％，N：3.51％。
[0119]
[0120] 在N2保護下，向裝有磁力攪拌的250ml三口瓶中依次加入150ml甲苯,6.4g?9,9-二(對溴苯基)-10,10-二苯基二氫蒽IV(10mmol)、5.5g苯基-（2-萘基）胺(25mmol)，在攪拌下，加入2.9g叔丁醇鈉(30mmol)，不能完全溶解，再加入86mg?Pd(dba)2(0.15mmol)，顏色變深，再加入0.6g?10%三叔丁基膦正己烷溶液(0.3mmol)，加熱回流，反應液變成綠色，回流5小時后點板，基本無原料，降溫至45℃以下時，加入5ml濃鹽酸和100ml水的混合溶液，分液，水相用150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗產(chǎn)品，粗產(chǎn)品經(jīng)石油醚/乙酸乙酯（體積比6：1）體系柱層析分離得到白色固體7.2g，即為式2-4化合物，收率78%。
[0121] 產(chǎn)物MS（m/e）：918，元素分析（C70H50N2）：理論值C：91.47％，H：5.48％，N：3.05％；實測值C：91.55%，H：5.39％，N：3.11％。
[0122]
[0123] 在N2保護下，向裝有磁力攪拌的250ml三口瓶中依次加入150ml甲苯,6.4g?9,9-二(對溴苯基)-10,10-二苯基二氫蒽IV(10mmol)、5.5g苯基-（1-萘基）胺(25mmol)，在攪拌下，加入2.9g叔丁醇鈉(30mmol)，不能完全溶解，再加入86mg?Pd(dba)2(0.15mmol)，顏色變深，再加入0.6g?10%三叔丁基膦正己烷溶液(0.3mmol)，加熱回流，反應液變成綠色，回流5小時后點板，基本無原料，降溫至45℃以下時，加入5ml濃鹽酸和100ml水的混合溶液，分液，水相用150ml甲苯萃取，合并旋干得到粗產(chǎn)品，粗產(chǎn)品經(jīng)石油醚/乙酸乙酯（體積比6：1）體系柱層析分離得到白色固體5.1g，即為式2-5化合物，收率56%。
[0124] 產(chǎn)物MS（m/e）：918，元素分析（C70H50N2）：理論值C：91.47％，H：5.48％，N：3.05％；實測值C：91.41%，H：5.52％，N：3.16％。
[0125] 本發(fā)明中，頂發(fā)光有機電致發(fā)光器件要獲得好的效率和視角特性，要求陰極具有特定的透光率或特定波長的光取出率，因此陰極Ag的厚度與覆蓋層的厚度優(yōu)選有一定的對應關(guān)系。當Ag的厚度為15-18nm時，覆蓋層的厚度在30nm-70nm；當Ag的厚度為18-25nm時，覆蓋層的厚度為30-50nm。例如當陰極層選Ag為15nm時，其上鍍覆有不同厚度的覆蓋層（式1-1有機材料），覆蓋層厚度分別為0nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm時，在458nm的波長下的鍍覆有覆蓋層的陰極層透光率如表1所示。
[0126] 表1
[0127]
[0128] 從表1可看出，覆蓋層有增加透光率的作用，鍍覆有覆蓋層的陰極結(jié)構(gòu)，相比沒有覆蓋層時提高了透光率。
[0129] 當陰極層選Ag為20nm時，其上覆蓋有不同厚度的覆蓋層（式2-1有機材料），覆蓋層厚度分別為0nm、30nm、40nm、50nm時，在458nm的波長下的鍍覆有覆蓋層的陰極層透光率如表2所示。
[0130] 表2
[0131]
[0132] 鍍覆有覆蓋層的陰極結(jié)構(gòu)，相比沒有覆蓋層時提高了透光率。
[0133] 以下列舉具體實施例以對本發(fā)明進一步說明
[0134] 實施例1
[0135] 在玻璃基板上濺射沉積Ag作為反射層，厚度為150nm，濺射10nm的ITO作為器件的陽極，并蝕刻出所需的圖形，用O2等離子處理3分鐘。將所得基板置于真空中，通過共蒸沉積130nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作為空穴注入層（HIL），其中F4TCNQ重量為MTDATA重量的
4%。接著沉積10nm的NPB作為空穴傳輸層（HTL）。再共蒸沉積30nm的ADN和DPAVB的混合物作為發(fā)光層，其中DPAVB重量為AND重量的5%。然后沉積20nm的Bphen作為電子傳輸層（ETL）。保持真空度不變，通過Li3N在蒸鍍過程中（溫度600℃）分解的方式蒸鍍1nm的Li作為電子注入層（EIL），沉積20nm的Ag作為陰極，沉積40nm具有式1-1結(jié)構(gòu)的有機材料作為覆蓋層。
4%。接著沉積10nm的NPB作為空穴傳輸層（HTL）。再共蒸沉積30nm的ADN和DPAVB的混合物作為發(fā)光層，其中DPAVB重量為AND重量的5%。然后沉積20nm的Bphen作為電子傳輸層（ETL）。保持真空度不變，通過Li3N在蒸鍍過程中（溫度600℃）分解的方式蒸鍍1nm的Li作為電子注入層（EIL），沉積20nm的Ag作為陰極，沉積40nm具有式1-1結(jié)構(gòu)的有機材料作為覆蓋層。
[0136] 本實施例制備的器件的出射光為藍光，發(fā)光光譜峰值隨視角變化如表3所示[0137] 表3
[0138]
[0139] 從表3可看出，本實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的發(fā)光光譜峰值變化范圍很小，避免了顯示屏隨視角發(fā)生變化。
[0140] 實施例2
[0141] 在玻璃基板上濺射沉積Ag作為反射層，厚度為150nm，濺射10nm的ITO作為器件的陽極，并蝕刻出所需的圖形，用O2等離子處理3分鐘。將所得基板置于真空中，通過共蒸沉積170nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作為空穴注入層（HIL），其中F4TCNQ重量為MTDATA重量的
4%。接著沉積10nm的NPB作為空穴傳輸層（HTL）。再共蒸沉積30nm的CBP和Ir(ppy)3的混合物作為發(fā)光層，其中Ir(ppy)3重量為CBP重量的5%。然后沉積20nm的Bphen作為電子傳輸層（ETL）。保持真空度不變，通過KBH4在蒸鍍過程中（溫度400℃）分解的方式蒸鍍1nm的K作為電子注入層（EIL），沉積20nm的Ag作為陰極，沉積40nm具有式1-3結(jié)構(gòu)的有機材料作為覆蓋層。
4%。接著沉積10nm的NPB作為空穴傳輸層（HTL）。再共蒸沉積30nm的CBP和Ir(ppy)3的混合物作為發(fā)光層，其中Ir(ppy)3重量為CBP重量的5%。然后沉積20nm的Bphen作為電子傳輸層（ETL）。保持真空度不變，通過KBH4在蒸鍍過程中（溫度400℃）分解的方式蒸鍍1nm的K作為電子注入層（EIL），沉積20nm的Ag作為陰極，沉積40nm具有式1-3結(jié)構(gòu)的有機材料作為覆蓋層。
[0142] 本實施例制備的器件為綠光，發(fā)光光譜峰值隨視角變化如表4所示
[0143] 表4
[0144]
[0145] 從表4可看出，本實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的發(fā)光光譜峰值變化范圍很小，避免了顯示屏隨視角發(fā)生變化。
[0146] 實施例3
[0147] 在玻璃基板上濺射沉積Ag作為反射層，厚度為150nm，濺射10nm的ITO作為器件的陽極，并蝕刻出所需的圖形，用O2等離子處理3分鐘。將所得基板置于真空中，通過共蒸沉積60nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作為空穴注入層（HIL），其中F4TCNQ重量為MTDATA重量的
4%。接著沉積10nm的NPB作為空穴傳輸層（HTL）。再共蒸沉積30nm的BeBq2和Ir(piq)2(acac)的混合物作為發(fā)光層，其中Ir(piq)2(acac)重量為BeBq2重量的5%。然后沉積20nm的Bphen作為電子傳輸層（ETL）。保持真空度不變，通過KBH4在蒸鍍過程中（溫度400℃）分解的方式蒸鍍1nm的K作為電子注入層（EIL），沉積25nm的Ag作為陰極，沉積30nm具有式1-5結(jié)構(gòu)的有機材料作為覆蓋層。
4%。接著沉積10nm的NPB作為空穴傳輸層（HTL）。再共蒸沉積30nm的BeBq2和Ir(piq)2(acac)的混合物作為發(fā)光層，其中Ir(piq)2(acac)重量為BeBq2重量的5%。然后沉積20nm的Bphen作為電子傳輸層（ETL）。保持真空度不變，通過KBH4在蒸鍍過程中（溫度400℃）分解的方式蒸鍍1nm的K作為電子注入層（EIL），沉積25nm的Ag作為陰極，沉積30nm具有式1-5結(jié)構(gòu)的有機材料作為覆蓋層。
[0148] 本實施例制備的器件為紅光，發(fā)光光譜峰值隨視角變化如表5所示：
[0149] 表5
[0150]
[0151] 從表5可看出，本實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的發(fā)光光譜峰值變化范圍很小，避免了顯示屏隨視角發(fā)生變化。
[0152] 實施例4
[0153] 在玻璃基板上濺射沉積Ag作為反射層，厚度為150nm，濺射10nm的ITO作為器件的陽極，并蝕刻出所需的圖形，用O2等離子處理3分鐘。將所得基板置于真空中，通過共蒸沉積130nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作為空穴注入層（HIL），其中F4TCNQ的重量為MTDATA重量的4%。接著沉積10nm的NPB作為空穴傳輸層（HTL）。再共蒸沉積30nm的ADN和DPAVB的混合物作為發(fā)光層，其中DPAVB的重量為ADN重量的5%。然后沉積20nm的Bphen作為電子傳輸層（ETL）。保持真空度不變，通過Li3N在蒸鍍過程中（溫度600℃）分解的方式蒸鍍1nm的Li作為電子注入層（EIL），沉積15nm的Ag作為陰極，沉積70nm具有式2-1結(jié)構(gòu)的有機材料作為覆蓋層。
[0154] 本實施例制備的器件為藍光器件，發(fā)光光譜峰值隨視角變化如表6所示
[0155] 表6
[0156]
[0157] 從表6可看出，本實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的發(fā)光光譜峰值變化范圍很小，避免了顯示屏隨視角發(fā)生變化。
[0158] 實施例5
[0159] 在玻璃基板上濺射沉積Ag作為反射層，厚度為150nm，濺射10nm的ITO作為器件的陽極，并蝕刻出所需的圖形，用O2等離子處理3分鐘。將所得基板置于真空中，通過共蒸沉積170nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作為空穴注入層（HIL），其中F4TCNQ的重量為MTDATA重量的4%。接著沉積10nm的NPB作為空穴傳輸層（HTL）。再共蒸沉積30nm的CBP和Ir(ppy)3的混合物作為發(fā)光層，其中Ir(ppy)3的重量為CBP重量的5%。然后沉積20nm的Bphen作為電子傳輸層（ETL）。保持真空度不變，通過KBH4在蒸鍍過程中（溫度約400℃）分解的方式蒸鍍1nm的K作為電子注入層（EIL），沉積25nm的Ag作為陰極，沉積50nm具有式2-2結(jié)構(gòu)的有機材料作為覆蓋層。
[0160] 本實施例制備的器件為綠光器件，發(fā)光光譜峰值隨視角變化如表7所示
[0161] 表7
[0162]
[0163]
[0164] 從表7可看出，本實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的發(fā)光光譜峰值變化范圍很小，避免了顯示屏隨視角發(fā)生變化。
[0165] 實施例6
[0166] 在玻璃基板上濺射沉積Ag作為反射層，厚度為150nm，濺射10nm的ITO作為器件的陽極，并蝕刻出所需的圖形，用O2等離子處理3分鐘。將所得基板置于真空中，通過共蒸沉積60nm的MTDATA和F4TCNQ的混合物作為空穴注入層（HIL），其中F4TCNQ的重量為MTDATA重量的4%。接著沉積10nm的NPB作為空穴傳輸層（HTL）。再共蒸沉積30nm的BeBq2和Ir(piq)2(acac)的混合物作為發(fā)光層，其中Ir(piq)2(acac)的重量為BeBq2重量的5%。然后沉積20nm的Bphen作為電子傳輸層（ETL）。保持真空度不變，通過KBH4在蒸鍍過程中（溫度約400℃）分解的方式蒸鍍1nm的K作為電子注入層（EIL），沉積22nm的Ag作為陰極，沉積45nm具有式2-4結(jié)構(gòu)的有機材料作為覆蓋層。
[0167] 本實施例所制備的器件為紅光器件，發(fā)光光譜峰值隨視角變化如表8所示
[0168] 表8
[0169]
[0170] 從表8可看出，本實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的發(fā)光光譜峰值變化范圍很小，避免了顯示屏隨視角發(fā)生變化。
[0171] 實施例7
[0172] 本實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法同實施例1，區(qū)別在于沉積1nm的金屬配合物LiQ作為電子注入層，18nm的銀鎂合金（Mg:Ag重量比=1:10）作為陰極，覆蓋層為厚度40nm的具有式1-2結(jié)構(gòu)的有機材料。
[0173] 本實施例所制備的器件為藍光器件，發(fā)光光譜峰值隨視角變化如表9所示
[0174] 表9
[0175]
[0176] 實施例8
[0177] 本實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法同實施例2，區(qū)別在于覆蓋層為厚度40nm的具有式1-4結(jié)構(gòu)的有機材料。
[0178] 本實施例所制備的器件為綠光器件，發(fā)光光譜峰值隨視角變化如表10所示：
[0179] 表10
[0180]
[0181] 實施例9
[0182] 本實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法同實施例4，區(qū)別在于覆蓋層為厚度45nm的具有式2-3結(jié)構(gòu)的有機材料。
[0183] 本實施例所制備的器件為藍光器件，發(fā)光光譜峰值隨視角變化如表11所示：
[0184] 表11
[0185]
[0186]
[0187] 實施例10
[0188] 本實施例的頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件的制備方法同實施例6，區(qū)別在于覆蓋層為厚度40nm的具有式2-5結(jié)構(gòu)的有機材料。
[0189] 本實施例所制備的器件為紅光器件，發(fā)光光譜峰值隨視角變化如表12所示[0190] 表12
[0191]
[0192] 以上所述實施例僅是為充分說明本發(fā)明而所舉的較佳的實施例，本發(fā)明的保護范圍不限于此。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求書為準。
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