半導(dǎo)體發(fā)光元件
專利匯可以提供半導(dǎo)體發(fā)光元件專利檢索，專利查詢，專利分析的服務(wù)。并且本 發(fā)明 公開一種 半導(dǎo)體 發(fā)光元件，其包含 基板 ，第一局限層位于基板之上，活性區(qū)位于第一局限層之上，及第二局限層位于活性區(qū)之上。其中活性區(qū)包含摻雜雜質(zhì)的第一型障壁層及未摻雜雜質(zhì)的第二型障壁層，且第一型障壁層較第二型障壁層更接近第一局限層。，下面是半導(dǎo)體發(fā)光元件專利的具體信息內(nèi)容。
1.一種半導(dǎo)體元件，包含：
基板；
第一局限層位于該基板上；
活性區(qū)位于該第一局限層上；及
第二局限層位于該活性區(qū)上；
其中該活性區(qū)包括摻雜雜質(zhì)的第一型障壁層及未摻雜雜質(zhì)的第二型障壁層，且該第一型障壁層較該第二型障壁層更接近該第一局限層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該活性區(qū)具有多重量子阱結(jié)構(gòu)，包含多對量子阱層/障壁層，且每一對量子阱層/障壁層中的量子阱層作為活性層，載流子可于該活性層中結(jié)合以產(chǎn)生光子。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該每一對量子阱層/障壁層中的障壁層為該第一型障壁層或該第二型障壁層，且該第一型障壁層數(shù)目等于或小于該第一型障壁層和該第二型障壁層總數(shù)目的一半。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該每一對量子阱層/障壁層中較接近該第一局限層的障壁層為該第一型障壁層而較接近該第二局限層的障壁層為該第二型障壁層。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件，其中該活性區(qū)由(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≤x≤1，
0≤y≤1)，AlGaAs，或InGaP其中之一所組成。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該半導(dǎo)體基板為n型GaAs基板；該第一局限層為n型AlInP，AlGaInP，或AlGaAs局限層；該第二局限層為p型AlInP，AlGaInP，或AlGaAs局限層；及該第一型障壁層為p型摻雜。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中該n型局限層厚度大于1μm。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中摻雜于該第一型障壁層及該第二局限層的p型雜質(zhì)選自一種或一種以上的可提供空穴的p型摻雜元素，包含由鎂，鋅，鈹，或碳所形成的族群。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中分別摻雜于該第一型障壁層及該第二局限層的雜質(zhì)為不同元素。
10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中摻雜于該第一型障壁層中的雜質(zhì)濃度為
16 -3 20 -3
1×10 cm 至1×10 cm 之間。
11.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件，其中還包含轉(zhuǎn)換層位于p型局限層之上，及電流擴(kuò)散層位于該轉(zhuǎn)換層之上。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體元件，其中該轉(zhuǎn)換層為p型InGaP層，及該電流擴(kuò)散層為p型GaP層。
13.一種半導(dǎo)體元件，包含：
永久基板；
接合層位于該永久基板之上；
第二局限層位于該接合層之上；
活性區(qū)位于該第二局限層之上；及
第一局限層位于該活性區(qū)之上；
其中該活性區(qū)包括摻雜雜質(zhì)的第一型障壁層及未摻雜雜質(zhì)的第二型障壁層，且該第一型障壁層較該第二型障壁層更接近該第一局限層。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其中該第一局限層為n型AlInP，AlGaInP，或AlGaAs局限層；該第二局限層為p型AlInP，AlGaInP，或AlGaAs局限層；及該第一型障壁層為p型摻雜。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體元件，其中還包含電流擴(kuò)散層位于該接合層之上，及轉(zhuǎn)換層位于該電流擴(kuò)散層與該第二局限層之間。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該電流擴(kuò)散層為p型GaP層，及該轉(zhuǎn)換層為p型InGaP層。
半導(dǎo)體發(fā)光元件
技術(shù)領(lǐng)域
背景技術(shù)
發(fā)明內(nèi)容
具體實(shí)施方式
106形成于緩沖層104之上，例如為n型的AlInP，AlGaInP或AlGaAs局限層。第二局限層
110可例如為p型的AlInP，AlGaInP或AlGaAs局限層。多重量子阱活性區(qū)108形成于第一局限層106和第二局限層110之間。形成活化區(qū)108的材料其能隙須較第一局限層106和第二局限層110的能隙小。第二電性的多層結(jié)構(gòu)形成于第二局限層110之上。此多層結(jié)構(gòu)可包括例如轉(zhuǎn)換層112及電流擴(kuò)散層114形成于轉(zhuǎn)換層112之上。轉(zhuǎn)換層112可為例如p型InGaP層。電流擴(kuò)散層114可為例如p型GaP層。轉(zhuǎn)換層112用以補(bǔ)償電流擴(kuò)散層114和第二局限層110晶格常數(shù)的差異。
雜質(zhì)濃度為1×10 cm 至1×10 cm 。摻雜雜質(zhì)的障壁層108-2a的雜質(zhì)濃度須提供鄰近量子阱層足夠的空穴。然而，假如雜質(zhì)濃度太高，結(jié)晶完整性及半導(dǎo)體發(fā)光元件的特性將被破壞，導(dǎo)致元件亮度無法提高。因此，雜質(zhì)濃度的選擇可依達(dá)到元件所須的特性來決定。若欲于制作元件100時調(diào)整雜質(zhì)濃度，可于成長摻雜障壁層108-2a時改變摻雜雜質(zhì)的前驅(qū)物的流量。根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光元件100被摻雜雜質(zhì)的障壁層108-2a其適合的雜
16 -3 20 -3
質(zhì)濃度為1×10 cm 至1×10 cm 。摻雜p型雜質(zhì)例如為鎂，鋅，鈹，或碳。
100在多重量子阱活性區(qū)108的全部量子阱層均可達(dá)到高結(jié)合率，元件亮度因而提高。
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