電阻溫度計
專利匯可以提供電阻溫度計專利檢索，專利查詢，專利分析的服務。并且本 發(fā)明 涉及一種 電阻 溫度 計，其測量電阻呈電阻層狀，電阻層的厚度為0.1至0.10μm，基本上由鉑族金屬組成，這種電阻層涂敷在由基本上是 鈦 酸鎂制的載體基底的電絕緣表面上，基底的 熱膨脹 系數(shù)為8.5-10.5ppm/k；電阻層也設有電絕緣 覆蓋 層 。這種 溫度計 即使在超過500℃的高溫也能長期穩(wěn)定工作，且可采用商用基片。，下面是電阻溫度計專利的具體信息內容。
1．一種帶有電阻層狀的測量電阻的電阻溫度計，該電阻層厚0.1至10μm，基本上由鉑族金屬組成，它被涂敷在熱膨脹系數(shù)為8.5至10.5ppm/k范圍內的載體基底的電絕緣表面上，它還設有電絕緣覆蓋層，其特征在于，該載體采用由鈦酸鎂制作的基片(1)。
2．根據(jù)權利要求1的電阻溫度計，其特征在于，在基片(1)和電阻層(4)之間涂敷一層氧化鋁或氧化鎂中間層(3)。
3．根據(jù)權利要求1或2的電阻溫度計，其特征在于，覆蓋層(5)由硼硅玻璃組成。
4．根據(jù)權利要求3的電阻溫度計，其特征在于，硼硅玻璃的厚度在10μm至100μm的范圍里。
5．根據(jù)權利要求1或2的電阻溫度計，其特征在于，覆蓋層(5)是基片(1)材料制的陶瓷疊層。
6．根據(jù)權利要求5的電阻溫度計，其特征在于，陶瓷疊層的厚度為0.1至1mm。
7．根據(jù)權利要求5或6的電阻溫度計，其特征在于，作為覆蓋層(5)的陶瓷疊層用陶瓷鍵合劑或玻璃焊劑附著在電阻層(4)和基片(1)上。
電阻溫度計
本發(fā)明涉及一種電阻溫度計，其測量電阻呈電阻層狀，電阻層的厚度為0.1至10μm，基本上由鉑族金屬組成，這種電阻層涂敷在載體基底的電絕緣表面，基底的熱膨脹系數(shù)在8.5-10.5ppm/k的范圍內，電阻層也設有電絕緣覆蓋層。
從DE24?50?511可知，一種有鉑電阻層的電阻溫度計，此電阻層涂敷在一由氧化鋁載體基底組成的基底上，基底上涂布一薄的中間層。這層中間層由鑭、釔、鈰、鈦和鐵的組合的氧化物和/或上述金屬的氧化物的混合物組成，它們對于氧化鋁載體基底和鉑電阻層之間的熱膨脹的失配具有調節(jié)的功能。但出現(xiàn)的問題在于氧化物的化學計量的不足或過度使它們在高溫下喪失其電絕緣性質，從而影響用這種電阻溫度計測得的數(shù)值。
此外，從DE2527?739可知，有一種供電阻溫度計用的電氣測量電阻的制造方法，其中在陶瓷材料的載體基底上的測量電阻包括一由濺射產(chǎn)生的鉑薄膜，這種鉑薄膜呈預定形狀且含有預定的溫度系數(shù)。此法中的陶瓷用作載體基底，其熱膨脹系數(shù)與溫度計鉑的不同，即小于±30％。這種被汽相淀積所產(chǎn)生的鉑薄膜電阻層所覆蓋的基片的陶瓷基本材料在氧氣氛中加熱到使基片包含的鉻小于15ppm、鐵小于30ppm、鉛小于45ppm和硅小于700ppm，其形狀可和鉑起反應。同時有上述所有金屬時，這些金屬引起的污染總和不超過20ppm，從而鍍有厚度為0.1至10μm的鉑基片在氧的氣氛中和溫度在1000℃至1400℃范圍里加熱至少60分鐘?；裳趸X、氧化鈹、氧化釷、氧化鎂組成，或由硅酸鎂組成。在鍍敷期間，在500℃至900℃的溫度范圍里加熱基片。最好用氧化鋁陶瓷作基片，鉑層厚度為1至5μm。
在DE40?26?061中，公開了一種專供電阻溫度計用的有預定溫度系數(shù)的電氣測量電阻的制造方法，通過汽相淀積，將作為電阻層的鉑薄膜濺射或涂覆到基片上，這是用絲網(wǎng)印制法和燒制將含硫代樹脂酸銠涂敷于其上，使銠均勻地滲透入鉑電阻層。在使用金屬基片時，鉑薄膜側基片設有玻璃陶瓷制的電絕緣中間層。
從DE43?00?084可知，具有厚度為0.1至10μm的鉑測量電阻器的電阻溫度計。電阻層被涂敷到載體基底電絕緣表面上，該基底包括熱膨脹系數(shù)在8.5至10.5ppm/k范圍內的旨在避免涂敷的敏感電阻層的機械應力，使得電阻特性和懸浮的測量電阻器情況一樣。這種測量電阻器用作-200℃至500℃范圍內具有高精確性的溫度傳感器，從而可達到按DIN?IEC(國際電工委員會德國工業(yè)標準)751的預定參考特性的盡可能小的差值。在這種處理過程中，電絕緣表面或由電絕緣基片的表面形成，或由玻璃或陶瓷層的電絕緣表面形成。在一最佳實施例中，介紹了使用了有電絕緣玻璃層的鈦基片。此外，還介紹了使金屬基片和由氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鎂或鎂鉛尖晶石的薄層在表面處電絕緣。
該法的缺點一方面是制造時需用花費的處理方法(例如金屬基片的預清潔和/或在氮氣中燒制玻璃層)，另一方面，由于薄的中間層從下面的金屬基片的污染很容易到達敏感的鉑層，故最大使用溫度限制在500℃。但在已知的陶瓷基片時也存在“毒化”鉑層的危險，因為由于溫度計外殼里的還原氣氛，污染(例如來自外殼材料)能夠到達鉑層，并可在那兒(由催化劑)和鉑起反應，使得電阻特性會強烈改變。這時，就不能再保證這種電阻溫度計的用處了。
本發(fā)明的目的是要提供一種電阻溫度計，它即使在較高的溫度范圍中，即在500℃以上，也能有長時間的穩(wěn)定性，并能同時保持該已知實施例的優(yōu)點。按照DIN?IEC?751的鉑測量電阻器的電阻特性可以在-200℃至+850℃的范圍里盡可能精確地復制出來。此外，也說明了可使用商場上買得到的基片。
根據(jù)本發(fā)明，問題是這樣解決的，即選擇一種主要由鈦酸鎂組成的材料作為鉑測量電阻器用的基片。這種材料以最佳方式適用于平均熱膨脹系數(shù)為8.9ppm/k的鉑膨脹系數(shù)。因此，加熱和冷卻時產(chǎn)生的應力最小，可按在-200℃和+850℃之問的DIN?IEC?751預定的特性復制出來。在500℃以上的溫度下長期存儲后，也可以復制出這種特性。此外，鈦酸鎂是商場上買得到的材料，它至今都用在高頻器件或陶瓷電容器，但不認知作為電阻溫度計的基底基片。它在生產(chǎn)鉑薄膜測量電阻時能滿足制造工序參數(shù)的所有要求(強度、尺寸、處理溫度等)。
對于中間層，本發(fā)明是通過在基片和電阻層之間涂敷一層由氧化鋁或氧化鎂制成的中間層來解決問題的。經(jīng)已證明，如所提供的基片表面質量不能滿足隨后涂敷鉑薄膜的技術(蒸發(fā)濺射)時，在上述鈦酸鎂基片上涂敷Al2O3或MgO中間層是有好處的。此外，涂敷中間層也改善了電阻層的粘接性。該電阻層最好由鉑組成。
由于這兩種措施(選擇適用的基片和必要時采用中間層)就可以在其他說明的效果外，保證敏感性鉑層對來自基底污染有最佳的保護和適用于熱膨脹性能。
為了使鉑薄膜不受例如由溫度計外殼材料引起的有害影響，這鉑層設有覆蓋層，正如鉑層的基底一樣，這一覆蓋層在其熱膨脹性能上也要盡可能地接近鉑的熱膨脹系數(shù)，以使由這種化合物引起的電阻特性的改變保持盡可能的小。
硼硅玻璃使用于覆蓋層，它是通過網(wǎng)印方法涂上去的，且經(jīng)過燒制，這種做法是有好處的。這種玻璃覆蓋層的厚度在10μm至100μm范圍內。一般可采用30μm的層厚。
為保證特強的保護，將厚度在0.1μm和1mm之間的陶瓷薄層涂敷到鉑電阻層作為覆蓋層，并通過冷固化的陶瓷粘接劑或玻璃焊劑加以附著。所述硼硅玻璃，作為例子，可用作玻璃焊劑。陶瓷薄層由與基片相同的材料，即鈦酸鎂，組成是有好處的。
下面要通過附圖1和2來詳細說明本發(fā)明的主題。
圖1為電阻溫度計用的測量電阻器，其中電阻層直接涂敷到電絕緣基片的表面上。
圖2為一測量電阻在電阻層和基片之間的中間層。
根據(jù)圖1，立方狀物體有一表面2適用于待涂敷的測量電阻4的形態(tài)而用作基片。在本實施例中，表面2以20nm至200nm的粗糙幅度形成?；?由鈦酸鎂MgTiO3組成。但也可涂敷氧化鋁作材料。將一部分的鉑族，最好為鉑組成的電阻層4涂敷到基片1的表面2。電阻層4是用陰極濺射和/或蒸發(fā)涂敷的，結果呈彎曲狀結構。該相對敏感(和催化活性)的鉑層4由覆蓋層5保護。
為了在高溫下應用，使用了厚度為0.1mm至1mm的陶瓷疊層作為覆蓋層5。在這種情況下，陶瓷疊層厚0.3mm，且由鈦酸鎂組成。通過用硬玻璃焊劑將陶瓷疊層附著在基片層4上。在使用溫度500℃下，也可用具有低熔點的玻璃焊劑或陶瓷焊接劑粘附覆蓋疊層5。
在陶瓷疊層處，也可以用硼硅玻璃來形成覆蓋層5，它是用網(wǎng)印法涂敷的。燒制后，硼硅玻璃層厚30μm。
在基片1的一側，接觸表面8、9與彎曲的電阻層4相連接。這些接觸表面8、9可認為是厚層焊接區(qū)，且被涂敷到電阻層4的連接觸點6、7。在接觸表面8、9處，外連接引線10、11以焊接或鍵合法連接。連接區(qū)由玻璃陶瓷材料制的外覆蓋層14加以電絕緣和去應力，這種覆蓋層涂敷到接觸表面8、9，并部分地涂敷到覆蓋層5。業(yè)已證明硼硅玻璃是適用的玻璃陶瓷材料，經(jīng)發(fā)現(xiàn)其厚度在0.5mm至3mm范圍內。對于高溫區(qū)(＞600℃)的應用，接觸表面8、9區(qū)中的覆蓋疊層12再加到覆蓋層14。這是用硬玻璃焊劑(等同于覆蓋層14的硼硅玻璃)來進行的。
根據(jù)圖2，電絕緣中間層3被涂敷到基片1的表面2。這一中間層3由陰極濺射法涂敷。但也可以用蒸發(fā)或厚膜法(樹脂酸鹽的網(wǎng)印法)涂敷。中間層3能調節(jié)基片1的表面缺陷，又能在其膨脹性能上適用于涂敷于其上的電阻層4。中間層由氧化鋁或氧化鎂組成。它也可以用作基片1和待涂敷的電阻層4之間的粘接劑。應用鈦酸鎂制的基片時，經(jīng)證明使用氧化鋁作中間層是特別方便的。
電阻溫度計的其他結構物相應于圖1的實施例，即圖中的覆蓋層5，連接接觸表面6、7，接觸表面8、9，連接引線10、11，接觸表面層14和覆蓋疊層12。
高效檢索全球專利專利匯是專利免費檢索,專利查詢,專利分析-國家發(fā)明專利查詢檢索分析平臺，是提供專利分析，專利查詢，專利檢索等數(shù)據(jù)服務功能的知識產(chǎn)權數(shù)據(jù)服務商。
我們的產(chǎn)品包含105個國家的1.26億組數(shù)據(jù)，免費查、免費專利分析。
專利匯分析報告產(chǎn)品可以對行業(yè)情報數(shù)據(jù)進行梳理分析，涉及維度包括行業(yè)專利基本狀況分析、地域分析、技術分析、發(fā)明人分析、申請人分析、專利權人分析、失效分析、核心專利分析、法律分析、研發(fā)重點分析、企業(yè)專利處境分析、技術處境分析、專利壽命分析、企業(yè)定位分析、引證分析等超過60個分析角度，系統(tǒng)通過AI智能系統(tǒng)對圖表進行解讀，只需1分鐘，一鍵生成行業(yè)專利分析報告。
