子分類：
- H01H：開關觸點操作機構
- H01B：電纜；導體；絕緣體；導電、絕緣或介電材料的選擇
- H01C：電阻器
- H01F：磁體；電感；變壓器；磁性材料的選擇
- H01G：電容器；電解型的電容器、整流器、檢波器、開關器件、光敏器件或熱敏器件
- H01J：放電管或放電燈
- H01K：白熾燈
- H01L：半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
- H01M：用于直接轉變化學能為電能的方法或裝置，例如電池組〔2〕
- H01P：波導；諧振器、傳輸線或其他波導型器件
- H01Q：天線
- H01R：導電連接；一組相互絕緣的電連接元件的結構組合；連接裝置；集電器
- H01S：利用受激發(fā)射的器件
- H01T：火花隙；應用火花隙的過壓避雷器；火花塞；電暈裝置；產生被引入非密閉氣體的離子
| 序號 | 專利名 | 申請?zhí)?/th> | 申請日 | 公開（公告）號 | 公開（公告）日 | 發(fā)明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 用于基板處理腔室的燈和窗配置 | CN202380070757.5 | 2023-09-28 | CN119908162A | 2025-04-29 | 文卡特斯瓦蘭·蘇巴拉曼; 拉賈·穆拉利·達莫哈蘭 |
| 本案涉及用于處理腔室的熱源（例如，燈）及窗，以及相關方法。在一或多個實施例中，適用于半導體制造的燈包括沿著弓形輪廓的至少一分段延伸的燈泡管。燈泡管界定弓形中央開口。燈包括位于弓形中央開口中的燈絲。燈絲沿著弓形輪廓的至少所述分段延伸。燈包括形成在燈泡管的外表面的第一部分上的反射涂層。 | ||||||
| 2 | 用于針對用于電動車輛的逆變器的去耦電容器的系統(tǒng)和方法 | CN202380067131.9 | 2023-09-26 | CN119908072A | 2025-04-29 | S·R·扎拉巴迪; M·W·戈塞; D·P·布赫勒 |
| 一種系統(tǒng)包括：逆變器，所述逆變器被配置為將來自電池的DC功率轉換為AC功率以驅動馬達，其中所述逆變器包括：第一去耦電容器，所述第一去耦電容器被配置為連接到所述電池的正極連接件和所述電池的負極連接件；以及第一功率模塊，所述第一功率模塊包括：第一上部相切換件，所述第一上部相切換件被配置為控制所述電池的所述正極連接件與所述馬達的第一相連接件之間的第一上部相電流，以及第一下部相切換件，所述第一下部相切換件被配置為控制所述電池的負極連接件與所述馬達的所述第一相連接件之間的第一下部相電流。 | ||||||
| 3 | 接合基板和接合基板的制造方法 | CN202380067372.3 | 2023-09-20 | CN119908070A | 2025-04-29 | 丸子拓也; 巖田浩一; 菊地弘一; 千葉理樹; 橫田裕章 |
| 提供了具有高接合強度的接合基板，其中抑制了空隙的形成。根據(jù)本公開的一方面的接合基板是第一基板和第二基板通過它們的接合面彼此接合的接合基板。第一基板在接合面?zhèn)染哂械谝桓男詫?，第二基板在接合面?zhèn)染哂械诙男詫印８鶕?jù)本公開的一方面的用于接合基板的制造方法是用于第一基板和第二基板彼此接合的接合基板的制造方法，該方法包括：等離子體處理第一基板的表面，以在第一基板的表面上形成第一改性層；等離子體處理第二基板的表面，以在第二基板的表面上形成第二改性層；在第一改性層和第二改性層面向彼此的狀態(tài)下將第一基板和第二基板彼此暫時接合；以及對暫時接合的基板進行退火，以將第一基板和第二基板彼此接合。 | ||||||
| 4 | 用于針對用于電動車輛的逆變器的三通道電隔離器的系統(tǒng)和方法 | CN202380067127.2 | 2023-09-26 | CN119908065A | 2025-04-29 | M·W·戈塞 |
| 一種系統(tǒng)包括：逆變器，所述逆變器被配置為將來自電池的DC功率轉換為AC功率以驅動馬達，其中所述逆變器包括：上部相多芯片模塊，所述上部相多芯片模塊包括：低電壓上部相控制器；高電壓上部相A控制器；上部相A電隔離器，所述上部相A電隔離器將所述低電壓上部相控制器連接到所述高電壓上部相A控制器；高電壓上部相B控制器；上部相B電隔離器，所述上部相B電隔離器將所述低電壓上部相控制器連接到所述高電壓上部相B控制器；高電壓上部相C控制器；以及上部相C電隔離器，所述上部相C電隔離器將所述低電壓上部相控制器連接到所述高電壓上部相C控制器。 | ||||||
| 5 | 電氣連接箱 | CN202480004079.7 | 2024-01-10 | CN119908053A | 2025-04-29 | 木村修司; 奧田定治 |
| 電氣連接箱(1)具備：基板(2)；端子保持體(3)，其固定于基板；端子(4)，其具有與對方端子連接的第一連接部(41)，在使第一連接部突出的狀態(tài)下被端子保持體保持，且端子(4)與基板連接；殼體(5)，其容納基板及端子保持體；以及導體單元(6)，其固定于端子保持體或殼體，導體單元包括：第一導體(7)，其具有框部(71)，且被固定于端子保持體或殼體；以及多個第二導體(8)，每個具有與框部接合的接合部和與對方端子連接的第二連接部(82)。 | ||||||
| 6 | 用于電極組件的心軸、使用其制造的柱形電池電芯、以及包括該柱形電池電芯的電池組和車輛 | CN202380065698.2 | 2023-12-26 | CN119908041A | 2025-04-29 | 樸種殖 |
| 公開了一種用于電極組件的心軸、使用該心軸制造的柱形電池電芯、以及包括該柱形電池電芯的電池組和車輛。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的用于電極組件的心軸是具有負極、正極、和介于負極和正極之間的隔膜在一個方向上卷繞的結構的心軸，并且所述心軸卷繞卷芯型電極組件，所述卷芯型電極組件在其中心形成有中心孔，所述心軸包括：第一卷繞構件，其插入到所述電極組件的所述中心孔中；以及第二卷繞構件，其插入到所述電極組件的所述中心孔中，使得所述隔膜介于所述第二卷繞構件和所述第一卷繞構件之間，并且將所述電極組件與所述第一卷繞構件一起卷繞，其中不對稱防止部分可以形成在所述第一卷繞構件和所述第二卷繞構件中的至少一個上以防止所述電極組件不對稱。 | ||||||
| 7 | 非水電解質二次電池用正極活性物質及其制造方法和非水電解質二次電池 | CN202380067239.8 | 2023-09-12 | CN119908038A | 2025-04-29 | 江崎正悟; 日比野光宏; 名倉健祐 |
| 作為實施方式的一個例子的非水電解質二次電池用正極活性物質，包含由組成式LiαNaβNi1?b?cMnbXcOd(式中，X是選自除了Li、Na、Ni、Mn以外的金屬元素中的至少一種元素，0.80≤α≤1.20，0≤β≤0.05，0.80≤α+β≤1.20，0.25＜b≤0.65，0≤c≤0.1，0.4≤1?b?c＜0.75，d是滿足原子價的值)表示的鋰過渡金屬復合氧化物，鋰過渡金屬復合氧化物通過粉末X射線衍射得到的X射線衍射圖案的(108)面的衍射峰的積分強度I108相對于(110)面的衍射峰的積分強度I110之比I108/I110為I108/I110＜0.4。 | ||||||
| 8 | 半導體裝置 | CN202480003976.6 | 2024-02-27 | CN119908035A | 2025-04-29 | 富田悠志 |
| 本發(fā)明涉及一種半導體裝置。一個實施方式的半導體裝置包括半導體元件、第1導電體、第1電極、第2導電體、第2電極以及罩。半導體元件沿著第1面擴展，包括第1表面、與第1表面對置的第2表面、以及遍及到第1表面的端部和第2表面的端部的第3表面，并包括設置在包括第1表面的區(qū)域中的第1電極焊盤、以及設置在包括第2表面的區(qū)域中的第2電極焊盤。第1導電體與第1電極焊盤相接。第1電極與第1導電體相接。第2導電體與第2電極焊盤相接。第2電極與第2導電體相接。罩是包括第1部分、第2部分及第3部分的樹脂罩。第1部分覆蓋第3表面。第2部分與第1部分連接，且與第1表面對置。第3部分與第1部分連接，與第2表面對置，且與第2部分一起夾持半導體元件。 | ||||||
| 9 | 用于制造電子器件的方法和電子器件 | CN202380067628.0 | 2023-09-12 | CN119908032A | 2025-04-29 | 托馬斯·施瓦茨 |
| 一種用于制造電子器件的方法，所述方法包括以下步驟：提供電子半導體芯片，其中在電子半導體芯片的接觸側處構成有第一接觸面和第二接觸面，其中第一接觸面和第二接觸面以第一高度突出超過接觸側的位于第一接觸面和第二接觸面之間的部段；提供載體，其中在載體的上側處構成有第一配合接觸面和第二配合接觸面，其中第一配合接觸面和第二配合接觸面以第二高度突出超過載體的上側的位于第一配合接觸面和第二配合接觸面之間的部段，其中第一高度大于或等于零并且第二高度大于、小于或等于零，其中作為第一高度和第二高度的總和形成的總高度大于零；將膠囊設置在配合接觸面上，其中膠囊分別具有堅固的外殼，所述外殼包圍過冷的金屬液體，其中膠囊分別具有小于總高度的直徑；以及將電子半導體芯片按壓到載體上，使得電子半導體芯片的接觸面按壓到載體的配合接觸面上，其中設置在接觸面和配合接觸面之間的膠囊的外殼裂開并且金屬液體潤濕接觸面和配合接觸面。 | ||||||
| 10 | 具有改進的溫度一致性的晶圓載體組件 | CN202380067221.8 | 2023-08-04 | CN119908031A | 2025-04-29 | A·巴格基; S·克里希南; E·阿穆爾; M·昌斯基; Y·拉什科夫斯基; A·漢澤; M·范多倫; W·萬加德三世 |
| 晶圓載體包括基座，基座包括大致平坦的底部表面和頂部表面，該頂部表面包括在頂部表面上方延伸的多個平臺。晶圓載體包括限定多個凹槽的熱蓋。熱蓋被配置成通過至少一個緊固件耦合到基座，以及多個凹槽被布置成使得當熱蓋由從基座的頂部表面延伸的多個第一底座支撐時，多個凹槽中的每個凹槽與多個平臺中的相應平臺對齊。多個第二底座沿著用于支撐一個或多個晶圓的多個平臺定位，其中每個平臺包括至少一個第二底座，該第二底座從用于支撐一個晶圓的平臺的頂部表面延伸。 | ||||||
| 11 | 用于制造在封裝中的具有電極的功率半導體的方法、功率半導體的封裝 | CN202380068000.2 | 2023-04-18 | CN119908027A | 2025-04-29 | J·莫蘭德 |
| 本發(fā)明涉及用于制造功率半導體的封裝的方法和包括功率半導體的封裝。封裝包括：在功率半導體的每個電極之上的導電層；在電極之上的導電層的部分之上的納米線；在功率半導體的每一側上并且在將兩個電極分開的掩蔽膜的部分之上的經固化的預浸料；以及納米線之上的導電層，在功率半導體的每個電極之上的導電層、納米線、以及在納米線之上的導電層形成單個導體單元。 | ||||||
| 12 | 半導體制造用導電柱模塊前體、半導體制造用導電柱模塊、半導體或半導體前體及其制造方法 | CN202380067762.0 | 2023-10-24 | CN119908026A | 2025-04-29 | 山崎亮介; 吉田伸; 陳翔銓 |
| 在現(xiàn)有技術中，無法獲得一種不使用光刻技術的半導體制造用導電柱模塊，該半導體制造用導電柱模塊可以用于倒裝芯片封裝的基板的二次布線，或用于在后芯片(RDL優(yōu)先)封裝中形成再配置層(RDL)。本發(fā)明提供一種半導體制造用導電柱模塊前體、半導體或半導體前體及其制造方法，所述半導體制造用導電柱模塊前體具備由片狀的樹脂固化物擔載有導電柱部件的結構，且具有對基板的足夠的密合性、應力緩和性和耐久性。 | ||||||
| 13 | 質量分析裝置 | CN202380067887.3 | 2023-09-07 | CN119908023A | 2025-04-29 | 寺島健太; 笠松鄉(xiāng)志 |
| 一種質量分析裝置(1)，擇一地安裝有在大氣壓氣氛下將液體試樣噴霧而進行離子化的第1離子源(12)～(17)、和對試樣照射激光而進行離子化的第2離子源(111)作為離子化部，該質量分析裝置(1)具備：質量分析部(231)、(242)～(246)，設置在經由分隔壁與離子化部連接的真空腔室內，根據(jù)質荷比分離并檢測離子；第2離子導入管(31)、(36)，貫通分隔壁而設置，將離子導入到真空腔室內，該第2離子導入管比在使用第1離子源時所使用的第1離子導入管更長，且在使用第2離子源時使用；加熱部(37)、(38)，對第2離子導入管中從第1離子導入管延長至離子化部側的部分進行加熱。 | ||||||
| 14 | 電容器 | CN202380065913.9 | 2023-11-21 | CN119908021A | 2025-04-29 | 萩原洋右; 吉田和司; 藤田智弘 |
| 問題是增加電容。硅襯底(2)具有第一區(qū)域(A1)、第二區(qū)域(A2)、第三區(qū)域(A3)和從第三區(qū)域(A3)向內突出并且當俯視時與第二多孔部分(23B)重疊的屋檐部分(27)。電容器(1)相對于屋檐部分(27)滿足第一條件或第二條件中的至少一者。第一條件是在相對于硅襯底(2)限定的厚度方向(D1)上測量的第一距離(H1)應當長于在相對于硅襯底(2)限定的厚度方向(D1)上測量的包括第三區(qū)域(A3)中的主表面(21)的平面(VP1)與屋檐部分(27)的面向第二多孔部(23B)的表面(27B)之間的第二距離(H2)，其中，第一距離(H1)是平面(VP1)與第一多孔部分(23A)之間的最短距離。第二條件是當俯視時，屋檐部分(27)的尖端(272)應當位于第二區(qū)域(A2)的內周邊緣之外的條件。 | ||||||
| 15 | 固體高分子電解質膜、膜電極接合體、膜電極接合體的制造方法及水電解裝置 | CN202380065467.1 | 2023-09-12 | CN119908016A | 2025-04-29 | 早部慎太朗; 奧山匠; 角倉康介 |
| 本發(fā)明的課題在于，提供低氣體透過性及化學耐久性優(yōu)異的固體高分子電解質膜、膜電極接合體、膜電極接合體的制造方法及水電解裝置。本發(fā)明的固體高分子電解質膜為下述固體高分子電解質膜，其包含：具有離子交換基團的含氟聚合物、含鉑物、鈰和織布，鈰以離子及鹽中的至少一者的狀態(tài)存在于固體高分子電解質膜中。 | ||||||
| 16 | 徑向分段的離子導向器及其示例應用 | CN202380064585.0 | 2023-09-07 | CN119908015A | 2025-04-29 | M·F·加羅爾德; D·W·雷滕巴赫 |
| 一種帶電粒子導向器包括：多個導電區(qū)段，該多個導電區(qū)段圍繞被限定軸向地通過該區(qū)段的開口彼此徑向地間隔開，其中，開口限定在中心且軸向地穿過該開口的中心軸線，使得帶電粒子在開口的一個端部處被接收并且穿過開口的相對端部；至少一個電壓源，該至少一個電壓源配置成產生單獨的電壓并將其供應到區(qū)段中的每個；以及至少一個控制電路，該至少一個控制電路配置成控制選定的電壓向區(qū)段的供應以在開口內創(chuàng)建電場，該電場配置成導致沿著相對于中心軸線的第一軸向路徑進入開口的該一個端部的帶電粒子沿著相對于中心軸線的第二軸向路徑離開開口的相對端部，其中，第一軸向路徑和第二軸向路徑不共線。 | ||||||
| 17 | 激光傳感器和制造激光傳感器的方法 | CN202380060787.8 | 2023-07-31 | CN119907928A | 2025-04-29 | L·內武; J·F·瑟林; S·莫特; J·蓋格爾 |
| 一種自混合干涉測量SMI激光傳感器(1)包括被配置成發(fā)射激光輻射的豎直腔表面發(fā)射激光器(10)(VCSEL)，該VCSEL包括第一分布式布拉格反射器(11)(DBR)、第二DBR(12)和包括有源光生成區(qū)域(13a)的腔區(qū)域(13)，其中腔區(qū)域(13)被布置在第一DBR(11)的前側和第二DBR(12)的后側之間的層結構中。其中，第一和第二DBR(11，12)中的至少一個包括第一對比度區(qū)域(14)和第二對比度區(qū)域(15)，第一對比度區(qū)域(14)關于VCSEL(10)的發(fā)射波長具有第一折射率對比度Δn1，并且第二對比度區(qū)域(15)具有大于第一折射率對比度Δn1/n的第二折射率對比度Δn2/n。 | ||||||
| 18 | 用于使用具有開口的載體結構對有角度的被測設備進行空中傳輸（OTA）測試的測試布置 | CN202380067215.2 | 2023-04-13 | CN119907922A | 2025-04-29 | 何塞·莫雷拉; 高須弘光; 汐田夏基; 菊池有朋; 加藤康之; 峯尾浩之 |
| 本發(fā)明涉及用于對有角度的被測設備進行空中傳輸(OTA)測試的測試布置，其中測試布置包括載體結構和被測設備的插座，所述被測設備的插座與載體結構耦合。被測設備的插座被配置為與有角度的被測設備的內表面或與布置在有角度的被測設備的內表面上的連接器建立電氣連接。載體結構包括開口，所述開口沿有角度的被測設備的第一外表面的向外的表面法線的方向延伸遠離被測設備的插座。 | ||||||
| 19 | 電池單元的異常溫度檢測系統(tǒng) | CN202380064223.1 | 2023-07-18 | CN119907904A | 2025-04-29 | 崔炯皙 |
| 本發(fā)明公開一種異常溫度檢測系統(tǒng)，其能夠使對整個電池單元的溫度信息處理量進一步減少，進一步提高穩(wěn)定性，其中，包括：復數(shù)個導光板，與電池單元的一面中的至少一部分區(qū)域在一方向上重疊，射入從所述電池單元輻射的電磁波，改變所述電磁波的路徑；圖像傳感器，與所述復數(shù)個導光板中的每一個的至少一部分區(qū)域在所述一方向上重疊，檢測從所述導光板反射的所述電磁波，基于此輸出所述電池單元的一面的溫度頻譜信息；以及運算部，在所述電池單元的一面的溫度偏離預先設定的溫度范圍的情況下，判斷為所述電池單元中檢測到異常溫度。 | ||||||
| 20 | 用于隔熱的氣凝膠組合物 | CN202380066612.8 | 2023-09-14 | CN119907873A | 2025-04-29 | 張曉峰; S·S·沙利文; J·甘布爾; P·F·佩斯卡托雷; C·班農; S·喬達里 |
| 氣凝膠組合物包括氣凝膠顆粒及纖維狀組分，所述纖維狀組分包括選自聚合物纖維及無機纖維的一種或多種材料。氣凝膠顆粒:纖維狀組分的重量比為1:3?10:1。氣凝膠組合物進一步包括最高達25重量％的聚合物，基于該組合物的總重量計。 | ||||||
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