一種硅片晶圓劃片后檢測工藝
專利匯可以提供一種硅片晶圓劃片后檢測工藝專利檢索，專利查詢，專利分析的服務(wù)。并且本 發(fā)明 具體涉及一種 硅 片 晶圓 劃片后檢測工藝，包括以下步驟：步驟1、當(dāng)?shù)谝黄瑒澩旰?，操作者?yīng)立即取出，在 顯微鏡 下檢查或目視檢查，劃片槽是否偏斜，是否全劃穿，藍(lán)膜上是否有刀痕，有無芯片脫落，有效 電路 區(qū)中是否有缺 角 ,裂縫， 鈍化 層受損，擦傷和沾污等的芯片；步驟2、每片圓片CH1、CH2兩個(gè)方向切割第五刀時(shí)必須停機(jī)檢查，在劃片過程中，每三十刀檢查一次，檢查內(nèi)容包括切割槽寬度、切割 位置 等；步驟3、切割刀痕的測量：操作員在設(shè)備上檢查切割刀痕尺寸的數(shù)據(jù)，并且記錄；步驟4、對于已完成檢查的圓片，則應(yīng)將圓片存放在干燥箱或氮?dú)夤裰?。本發(fā)明的一種 硅片 晶圓劃片后檢測工藝，檢測內(nèi)容全面先進(jìn)，提高了產(chǎn)品 質(zhì)量 ，降低企業(yè)的生產(chǎn)成本。，下面是一種硅片晶圓劃片后檢測工藝專利的具體信息內(nèi)容。
1.一種硅片晶圓劃片后檢測工藝，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1、當(dāng)?shù)谝黄瑒澩旰?，操作者?yīng)立即取出，在顯微鏡下檢查或目視檢查，劃片槽是否偏斜，是否全劃穿，藍(lán)膜上是否有刀痕，有無芯片脫落，有效電路區(qū)中是否有缺角，?裂縫，鈍化層受損，擦傷和沾污等的芯片，所述如果第一片有問題，應(yīng)立即采取措施，然后再檢查緊跟切割的一片，直到正常；
步驟2、每片圓片CH1、CH2兩個(gè)方向切割第五刀時(shí)必須停機(jī)檢查，在劃片過程中，每三十刀檢查一次，檢查內(nèi)容包括切割槽寬度、切割位置等；
步驟3、切割刀痕的測量：操作員在設(shè)備上檢查切割刀痕尺寸的數(shù)據(jù)，并且記錄；
步驟4、對于已完成檢查的圓片，則應(yīng)將圓片存放在干燥箱或氮?dú)夤裰小?br/>2.根據(jù)權(quán)利1所述的一種硅片晶圓劃片后檢測工藝，其特征在于，在步驟2中，劃片后須用清洗機(jī)清洗，清洗時(shí)間設(shè)定為三分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利1所述的一種硅片晶圓劃片后檢測工藝，其特征在于，操作員在進(jìn)行上述操作時(shí)必須戴上防靜電手套、指套、防靜電手腕帶。
一種硅片晶圓劃片后檢測工藝
技術(shù)領(lǐng)域
背景技術(shù)
發(fā)明內(nèi)容
步驟2、每片圓片CH1、CH2兩個(gè)方向切割第五刀時(shí)必須停機(jī)檢查，在劃片過程中，每三十刀檢查一次，檢查內(nèi)容包括切割槽寬度、切割位置等；
步驟3、切割刀痕的測量：操作員在設(shè)備上檢查切割刀痕尺寸的數(shù)據(jù)，并且記錄；
步驟4、對于已完成檢查的圓片，則應(yīng)將圓片存放在干燥箱或氮?dú)夤裰小?br>
具體實(shí)施方式
步驟2、每片圓片CH1、CH2兩個(gè)方向切割第五刀時(shí)必須停機(jī)檢查，在劃片過程中，每三十刀檢查一次，檢查內(nèi)容包括切割槽寬度、切割位置等；
步驟3、切割刀痕的測量：操作員在設(shè)備上檢查切割刀痕尺寸的數(shù)據(jù)，并且記錄；
步驟4、對于已完成檢查的圓片，則應(yīng)將圓片存放在干燥箱或氮?dú)夤裰小?br>
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